[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.48205
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 48, 145–154 (2008)
XPS AND ELECTRONIC STRUCTURE OF
FERROELECTRIC Sn2P2S6 CRYSTALS
J. Grigasa, E. Talikb, V. Lazauskasc,
Yu.M. Vysochanskiid, R. Yevychd, M. Adamiecb,
and V. Nelkinasc
aFaculty of Physics, Vilnius University, Saulėtekio
9, LT-10222 Vilnius, Lithuania
E-mail: jonas.grigas@ff.vu.lt
bInstitute of Physics, Silesian University,
Universytetska 4, 40-007 Katowice, Poland
cInstitute of Theoretical Physics and Astronomy of
Vilnius University, A. Goštauto 12, LT-01108 Vilnius, Lithuania
dUzhgorod University, Pidhirna 46, UA-88000
Uzhgorod, Ukraine
Received 17 March 2008; revised 15
May 2008; accepted 9 June 2008
Electronic properties of uniaxial
ferroelectric Sn2P2S6 single
crystal are studied by X-ray photoelectron spectroscopy. X-ray
photoelectron spectra (XPS) of the valence band (VB) and of the
principal core levels (CL) are obtained from different
crystallographic planes in both paraelectric and ferroelectric
phases. The XPS were measured with monochromatized Al Ka radiation
in the energy range 0–1400 eV. The VB consists of five bands with
the maxima between 3.3 and 14.5 eV below the Fermi level.
Experimental energies of the VB and core levels are compared with
results of theoretical ab initio calculations of molecular
model of the Sn2P2S6 crystal.
Electronic structure of the VB is revealed. Ferroelectric phase
transition changes atom’s charge and bonds strength, VB electronic
structure, CL lines width, and chemical shifts for the Sn, P, and
S states which are crystallographic plane-dependent.
Keywords: Sn2P2S6,
ferroelectric, crystals, XPS, electronic structure
PACS: 71.20.-b, 77.84.-s, 78.70.En, 79.60.-i
FEROELEKTRINIŲ Sn2P2S6
KRISTALŲ RENTGENO FOTOELEKTRONINIAI SPEKTRAI IR
ELEKTRONINĖ SANDARA
J. Grigasa, E. Talikb, V. Lazauskasc,
Yu.M. Vysochanskiid, R. Yevychd, M. Adamiecb,
V. Nelkinasc
aVilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva
bSilezijos universiteto Fizikos institutas,
Katovicai, Lenkija
cVilniaus universiteto Teorinės fizikos ir
astronomijos institutas, Vilnius, Lietuva
dUžgorodo universitetas, Užgorodas, Ukraina
Rentgeno fotoelektronų spektroskopija ištirtos
elektroninės vienašių feroelektrinių Sn2P2S6
monokristalų savybės. Gauti valentinės juostos (VJ) ir svarbiausių
gilių lygmenų paraelektrinės ir feroelektrinės fazių spektrai nuo
įvairių kristalografinių plokštumų. Fotoelektronų sužadinimo
šaltinis buvo Al K 1486,6 eV monochromatinė spinduliuotė.
Sužadintų fotoelektronų spektrai matuoti energijos ruože nuo 0 iki
1400 eV. Eksperimentiškai gautos fotoelektronų energijos yra
palygintos su teorinių ab initio skaičiavimų rezultatais
molekuliniam Sn2P2S6 kristalo
modeliui. Apskaičiuota ir eksperimentiškai patvirtinta kristalo VJ
sandara abiejose fazėse. VJ sudaro penkios juostos, o jų smailės
yra nuo 3,3 eV iki 14,5 eV žemiau Fermio lygmens. Įvertinti Sn, S
ir I atomų cheminiai poslinkiai. Ištirta feroelektrinio fazinio
virsmo įtaka VJ sandarai ir gilių lygmenų spektrams. Nustatyta,
kaip fazinis virsmas keičia atomų krūvius, ryšių stiprius, VJ
elektroninę sandarą ir gilių lygmenų juostų pločius bei Sn, S ir I
atomų cheminius poslinkius, kurie priklauso nuo kristalografinės
plokštumos.
References / Nuorodos
[1] J. Grigas, E. Talik, and V. Lazauskas, X-ray photoelectron
spectroscopy of Sb2S3 crystals, Phase
Transitions 75, 323 (2002),
http://dx.doi.org/10.1080/01411590290020448
[2] J. Grigas, E. Talik, and V. Lazauskas, X-ray photoelectron
spectra and electronic structure of Bi2S3
crystals, Phys. Status Solidi B 232, 220 (2002),
http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200208)232:2<220::AID-PSSB220>3.0.CO;2-F
[3] J. Grigas, E. Talik, and V. Lazauskas, X-ray photoelectron
spectroscopy of ferroelectric semiconductor SbSI crystals,
Lithuanian J. Phys. 44, 427 (2004),
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.44603
[4] J. Grigas, E. Talik, M. Adamiec, V. Lazauskas, and V. Nelkinas,
XPS and electronic structure of quasi-one-dimensional BiSI crystals,
J. Electron Spectrosc. Related Phenom. 153, 22 (2006),
http://dx.doi.org/10.1016/j.elspec.2006.06.001
[5] J. Grigas, E. Talik, M. Adamiec, and V. Lazauskas, X-ray
photoelectron spectra and electronic structure of
quasi-one-dimensional SbSeI crystals, Cond. Matter Phys. 10,
101 (2007),
http://dx.doi.org/10.5488/CMP.10.1.101
[6] Yu.M. Vysochanskii, T. Janssen, R. Currat, R. Folk, J. Banys, J.
Grigas, and V. Samulionis, Phase Transitions in Ferroelectric
Phosphorous Chalcogenide Crystals (Vilnius University
Publishing House, Vilnius, 2006),
[Researchgate]
[7] J. Grigas, Splitting of the soft mode in a double well potential
of SbSI, Ferroelectrics 226, 51 (1999),
http://dx.doi.org/10.1080/00150199908230289
[8] K. Kuepper, B. Shneider, V. Caciuc, M. Neumann, A.V. Postnikov,
A. Ruediger, A.A. Grabar, and Yu.M. Vysochanskii, Electronic
structure of Sn2P2S6, Phys. Rev. B
67, 115101 (2003),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.67.115101
[9] Gaussian Basis Sets for Molecular Calculations, ed. S.
Huzinaga (Elsevier, Amsterdam, 1984),
http://store.elsevier.com/product.jsp?isbn=9780444596475
[10] M.W. Schmidt, K.K. Baldrige, J.A. Boatz, et al., General atomic
and molecular electronic structure system, J. Comput. Chem. 14,
1347 (1993),
http://dx.doi.org/10.1002/jcc.540141112
[11] C.J. Pickard and M.C. Payne, Extrapolative approaches to
Brillouin-zone integration, Phys. Rev. B 59, 4685 (1999),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.59.4685
[12] K.Z. Rushchanskii, Yu.M. Vysochanskii, and D. Strauch,
Ferroelectricity, nonlinear dynamics and relaxation effects in
monoclinic Sn2P2S6, Phys. Rev.
Lett. 99, 207601 (2007),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.99.207601
[13] A. Tejeda, R. Cortés, J. Lobo-Checa, C. Didiot, B. Kierren, D.
Malterre, E.G. Michel, and A. Mascaraque, Structural origin of the
Sn 4d core level line shape in Sn Ge(111)-(3×3), Phys. Rev. Lett. 100,
026103 (2008),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.100.026103