[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.48401
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 48, 333–339 (2008)
NON-MONOTONOUS DEPENDENCES OF
THIN FILM SURFACE ROUGHNESS ON SUBSTRATE TEMPERATURE AND
DEPOSITED ATOM FLUX
Reda Čerapaitė-Trušinskienėa,b and Arvaidas Galdikasa,b
aPhysics Department, Kaunas University of
Technology, Studentų 50, LT-51368 Kaunas, Lithuania
E-mail: reda.cerapaite@stud.ktu.lt
bDepartment of Physics, Mathematics and Biophysics,
Kaunas University of Medicine, Eivenių 4, LT-50009 Kaunas,
Lithuania
Received 13 March 2008; revised 21
August 2008; accepted 18 September 2008
Experimentally observed
non-monotonous dependences of thin films surface roughness on
substrate temperature and flux of deposited atoms are analysed by
kinetic rate equation model. The modelling results show good
qualitative agreement with the experiment and explain an unusual
phenomenon of surface roughness. It is shown that non-monotonous
dependence of surface roughness on substrate temperature and
deposition flux is determined by the size of islands and
diffusivity of atoms on the surface. From present analysis it
follows that the formation mechanisms of non-monotonous
dependences of the surface roughness on temperature and deposition
flux are of different origin. The mechanisms are qualitatively
analysed in the present paper.
Keywords: surface roughness, island
films deposition, surface diffusion, kinetic modelling
PACS: 81.15.Aa, 82.20.Wt
NEMONOTONINĖS PLONŲ DANGŲ
PAVIRŠIAUS ŠIURKŠTUMO PRIKLAUSOMYBĖS NUO PADĖKLO TEMPERATŪROS IR
NUSODINTŲ ATOMŲ SRAUTO
Reda Čerapaitė-Trušinskienėa,b, Arvaidas Galdikasa,b
aKauno technologijos universitetas, Kaunas, Lietuva
bKauno medicinos universitetas, Kaunas, Lietuva
Paviršiaus šiurkštumas yra vienas iš
svarbiausių parametrų, apibūdinančių plonas dangas. Yra daug
eksperimentinių darbų, kuriuose nagrinėjama plonų dangų paviršiaus
šiurkštumo priklausomybė nuo įvairių technologinių dangos auginimo
parametrų: padėklo temperatūros, jonų energijos, dalelių srauto ir
kt. Apibendrinant šiuos darbus, galima pasakyti, kad plonų dangų
paviršiaus šiurkštumas, priklausomai nuo technologinių parametrų
kitimo, gali didėti, mažėti ar nekisti. Taip pat yra darbų,
kuriuose stebima nemonotoninė paviršiaus šiurkštumo priklausomybė
nuo padėklo temperatūros [6] bei dalelių srauto (nusodinimo
greičio) [11]: paviršiaus šiurkštumo priklausomybė nuo šių dydžių
turi minimumo tašką.
Pasinaudojant kinetiniu modeliu [15, 16], tirta plonų dangų
paviršiaus šiurkštumo priklausomybė nuo padėklo temperatūros bei į
paviršių krintančių dalelių srauto. Panaudotas kinetinis modelis,
aprašantis salelinį dangos augimą ir apimantis tokius procesus
kaip adsorbuotų atomų paviršinė difuzija, nukleacija, susidariusių
salelių augimas bei koalescencija. Modeliavimo rezultatai parodė,
kad ir padėklo temperatūra, ir dalelių srautas veikia ant padėklo
susidarančių salelių dydį, tuo pačiu ir plonų dangų paviršiaus
šiurkštumą. Gauti modeliavimo rezultatai gerai sutampa su
eksperimentiniais ir leidžia paaiškinti nemonotoninį paviršiaus
šiurkštumo kitimą.
References / Nuorodos
[1] G. Knuyt, C. Quaeyhaegens, J. D'Haen, and L.M. Stals, A model
for thin film texture evolution driven by surface energy effects,
Phys. Status Solidi B 195, 179–193 (1996),
http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221950121
[2] J. Vaitkus, V. Kazlauskiene, J. Miskinis, and J. Sinius, PbS
thin film formation on terrace-step surface by pulsed laser
deposition, Mater. Res. Bull. 33, 711–716 (1998),
http://dx.doi.org/10.1016/S0025-5408(98)00040-3
[3] J. Vaitkus, R. Baubinas, E. Gaubas, V. Kazlauskiene, J.
Miskinis, A. Mazeikis, J. Sinius, E. Zasinas, and A. Zindulis,
Cluster and thin layer of compound semiconductor growth on hexagonal
and vicinal cubic surface and the simulation of atom behavior,
Microelectron. J. 30, 335–340 (1999),
http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2692(98)00131-1
[4] Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Irisawa, and T.
Ohachi, Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga
diffusion length on GaAs(0 0 1), Appl. Surf. Sci. 190,
517–520 (2002),
http://dx.doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00930-8
[5] I. Volintiru, M. Creatore, and J.L. Linden, Expanding thermal
plasma-deposited ZnO films: Substrate temperature influence on films
properties. Film growth studies, Superlatt. Microstruct. 39,
348–357 (2006),
http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2005.08.061
[6] S.G. Yoon, H.K. Kim, and M.J. Kim, Effect of substrate
temperature on surface roughness and optical properties of Ta2O5
using ion-beam sputtering, Thin Solid Films 475, 239–242
(2005),
http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.07.043
[7] P. Sobotík and I. Ošt'ádal, Temperature induced change of
surface roughness of Au (111) epitaxial films on mica, J. Cryst.
Growth 197, 955–962 (1999),
http://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01069-0
[8] M. Rusop, T. Soga, and T. Jimbo, The effect of processing
parameters on amorphous carbon nitride layer properties, Diamond
Relat. Mater. 13, 2187–2196 (2004),
http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2004.06.024
[9] P. Patsalas, C. Gravalidis, and S. Logothetidis, Surface
kinetics and subplantation phenomena affecting the texture,
morphology, stress, and growth evolution of titanium nitride films,
J. Appl. Phys. 96, 6234–6245 (2004),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1811389
[10] K. Cai, M. Müller, J. Bossert, A. Rechtenbach, and K.D. Jandt,
Surface structure and composition of flat titanium thin films as a
function of film thickness and evaporation rate, Appl. Surf. Sci. 250,
252–267 (2005),
http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.01.013
[11] J. Dumont, F. Wiame, J. Ghijsen, and R. Sporken, Growth of
atomically at Ag on mica, Surf. Sci. 572, 459–466 (2004),
http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2004.09.029
[12] G. Laukaitis, S. Lindroos, S. Tamulevičius, M. Leskelä, and M.
Račkaitis, Stress and surface studies of SILAR grown ZnS thin films
on (100) GaAs substrates, Mater. Sci. Eng. A 288, 223–230
(2000),
http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5093(00)00879-0
[13] P. Zhang, X. Zheng, S. Wu, and D. He, A computer simulation of
nucleation and growth of thin films, Comput. Mater. Sci. 30,
331–336 (2004),
http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.02.023
[14] A. Galdikas, Non-monotonous dependence of surface roughness on
factors influencing energy of adatoms during thin island films
growth, Surf. Sci. 600, 2705–2710 (2006),
http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2006.04.045
[15] A. Galdikas, Thin film deposited onto the rough surface:
Phenomenological investigations, Thin Solid Films 418,
112–118 (2002),
http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00715-0
[16] A. Galdikas, Surface topography development and ion mixing in
the study of depth profiling of multilayered structures, Vacuum 55,
51–58 (1999),
http://dx.doi.org/10.1016/S0042-207X(99)00123-2
[17] A. Galdikas and L. Pranevičius, Interactions of Ions with
Condensed Matter (Nova Science Publishers, Huntington, New
York, 2000), p. 174