[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.49408
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 49, 453–460 (2009)
ANALYSIS OF ELECTRICAL AND
OPTICAL FLUCTUATIONS OF LIGHT-EMITTING DIODES BY CORRELATION
METHOD
V. Palenskis, J. Matukas, and B. Šaulys
Radiophysics Department, Vilnius University, Saulėtekio 9,
LT-10222 Vilnius, Lithuania
E-mail: vilius.palenskis@ff.vu.lt, jonas.matukas@ff.vu.lt
Received 16 September 2009; revised 13 November
2009; accepted 18 December 2009
A detailed analysis of electrical
and optical fluctuations of high power (3 W) light-emitting diodes
(LEDs) is presented. A special attention was paid to the
measurement and interpretation of simultaneous correlation
coefficient between electrical and optical fluctuations. The
simultaneous correlation coefficient was measured not only over
frequency range from 10 Hz to 20 kHz, but for the first time in
every one-octave frequency band. The presented technique not only
permitted to determine the correlation coefficient dependence on
frequency, but also to estimate what part to correlation
coefficient is produced by low-frequency fluctuations with
,
and Lorentzian type spectra, respectively. From the obtained
experimental and calculation results it is determined that the
simultaneous correlated part of electrical and optical
fluctuations for these LEDs is related with the defect presence in
the active layer or at its interfaces, while the uncorrelated part
of electrical noise is caused by parallel leakage channel in other
places, and the resistance of this channel is many times higher
than that of
p–n junction.
Keywords: white light-emitting diodes
(LEDs), electrical fluctuations, optical fluctuations, correlation
coefficient, correlation in one-octave frequency band
PACS: 72.70.+m, 85.60.Jb
KORELIACINĖ ŠVIESOS DIODŲ
ELEKTRINIŲ IR OPTINIŲ FLIUKTUACIJŲ ANALIZĖ
V. Palenskis, J. Matukas, and B. Šaulys
Vilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva
Pateikta detali didelės galios (3 W) baltą
šviesą spinduliuojančių diodų elektrinių (diodo įtampos) ir
optinių (šviesos spinduliuotės galios) fliuktuacijų koreliacijos
analizė. Tiriamų diodų pagrindą sudaro mėlynos šviesos InGaN
diodai, kurių paviršius padengtas YAG:Ce
+3 fosforo
sluoksniu, spinduliuojančiu plačiajuostę geltoną šviesą. Tyrimai
atlikti kambario temperatūroje labai plačiame tiesioginės srovės
intervale. Elektrinių ir optinių triukšmų spektrai ir koreliacijos
koeficientas išmatuoti dažnių srityje nuo 10 Hz iki 20 kHz; be to,
koreliacijos koeficientas pirmą kartą išmatuotas ir kiekvienoje
nurodytos dažnių srities oktavos juostoje. Eksperimentiniai
triukšmų spektrai skaičiavimo patogumui išreikšti
,
ir relaksacinio triukšmų spektrų suma. Toks triukšmo spektro
išskaidymas į atskirus sandus patogus dar ir tuo, kad triukšmų
šaltiniai, lemiantys šiuos triukšmų sandus, yra statistiškai
nepriklausomi, o tai labai palengvina elektrinių ir optinių
fliuktuacijų koreliacijos analizę. Nustatyta koreliacijos
koeficiento priklausomybė nuo oktavos juostos centrinio dažnio,
atsižvelgiant tik į žemadažnius triukšmus:
(
1,55)
triukšmo įnašas didžiausias yra tik žemuose dažniuose (<1 kHz),
generacinio-rekombinacinio (relaksacinio) triukšmo didžiausias
įnašas yra esant dažniui
(čia
τ
– relaksacijos trukmė), o triukšmo, turinčio
pavidalo spektrą, įnašas į koreliacijos koeficientą yra didelis
visame tirtame dažnių intervale. Įvertinta, kokia
ir
elektrinio triukšmo (dispersijos) dalis lemia optinį triukšmą su
tokiu pat spektru. Parodyta, kad koreliuotąją elektrinio triukšmo
dalį lemia defektai, esantys aktyviojoje šviesos diodo srityje, o
nekoreliuotąją – srovės nuotėkio kanalas, kurio varža yra žymiai
didesnė nei diodo sandūros varža.
References / Nuorodos
[1] K.-M. Chang, J.-Y. Chu, and C.-C. Cheng, Highly reliable
GaN-based light emitting diodes formed by p–In0.1Ga0.9N–ITO
structure, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1807–1809 (2004),
http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2004.830523
[2] S.J. Chang, L.W. Wu, Y.K. Su, Y.P. Hsu, W.C. Lai, J.M. Tsai,
J.K. Sheu, and C.T. Lee, Nitride-based LEDs with 800 °C
grown
p-AlInGaN–GaN double-cap layers, IEEE Photon. Technol. Lett. 16,
1447–1449 (2004),
http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2004.826737
[3] J. Han and A.V. Nurmikko, Advances in AlGaInN blue and
ultravioletlight emitters, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron.
8, 289–297 (2002),
http://dx.doi.org/10.1109/2944.999183
[4] T. Mukai, Recent progress in group-III nitride light-emitting
diodes, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 8, 264–270
(2002),
http://dx.doi.org/10.1109/2944.999179
[5] S.J. Chang, C.H. Kuo, Y.K. Su, L.W. Wu, J.K. Sheu, T.C. Wen,
W.C. Lai, J.F. Chen, and J.M. Tsai, 400-nm InGaN–GaN and InGaN–AlGaN
multiquantum well light-emitting diodes, IEEE J. Select. Topics
Quantum Electron. 8, 744–748 (2002),
http://dx.doi.org/10.1109/JSTQE.2002.801677
[6] Y. Arakawa, Progress in GaN-based quantum dots for
optoelectronics applications, IEEE J. Select. Topics Quantum
Electron. 8, 823–832 (2002),
http://dx.doi.org/10.1109/JSTQE.2002.801675
[7] M. Koike, N. Shibata, H. Kato, and Y. Takahashi, Development of
high efficiency GaN-based multiquantum-well light-emitting diodes
and their applications, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 8,
271–277 (2002),
http://dx.doi.org/10.1109/2944.999180
[8] V. Palenskis, Flicker noise problem, Lithuanian J. Phys. 30,
107–152 (1990)
[9] S. Pralgauskaitė, V. Palenskis, and J. Matukas, Fluctuations of
optical and electrical parameters of distributed feedback lasers and
their reliability, Fluct. Noise Lett. 4, L365–L374 (2004),
http://dx.doi.org/10.1142/S0219477504001999
[10] S.L. Rumyantsev, S. Sawyer, M.S. Shur, N. Pala, Y. Bilenko,
J.P. Zhang, X. Hu, A. Lunev, J. Deng, and R. Gaska, Low-frequency
noise of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes, J. Appl. Phys.
97, 107–123 (2005),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1928310
[11] S. Pralgauskaitė, V. Palenskis, J. Matukas, J. Petrulis, and G.
Kurilčik, Noise characteristics and reliability of light emitting
diodes based on nitrides, Fluct. Noise Lett. 7, L367–L378
(2007),
http://dx.doi.org/10.1142/S0219477507004008
[12] J. Matukas, V. Palenskis, J. Vyšniauskas, B. Šaulys, S.
Pralgauskaitė, and A. Pincevičius, Noise characteristics and
reliability of high power white light emitting diodes based on
nitrides, Proc. SPIE 7142, 71420H1–71420H6 (2008),
http://dx.doi.org/10.1117/12.816513