[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.50204
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 50, 173–180 (2010)
FREQUENCY-DEPENDENT PROPERTIES
OF InGaAs BOW-TIE DETECTORS IN TERAHERTZ RANGE
L. Minkevičiusa,b I. Kašalynasa, D. Seliutaa,
V. Tamošiūnasa,b, and G. Valušisa,b
aSemiconductor Physics Institute, Center for
Physical Sciences and Technology, A. Goštauto 11, LT-01108
Vilnius, Lithuania
E-mail: linas.minkevicius@ff.stud.vu.lt
bFaculty of Physics, Vilnius University, Saulėtekio
9, LT-10222 Vilnius, Lithuania
Received 23 October 2009; revised
26 January 2010; accepted 18 March 2010
Finite-difference time-domain
simulation results in bow-tie InGaAs diodes are presented.
Dependences of electric field amplitude on frequency were
investigated for various device shapes and sizes. It was shown
that two metallized parts of the bow-tie type detector act as the
separate antennas causing thus the experimentally observed fast
sensitivity reduction at 1.63, 1.83, and 2.51 THz frequencies.
Moreover, it has been demonstrated that the estimated effective
average refractive index of the region around the antenna for all
investigated angles and dimensions is nearly constant, and this
constant value could be used for further estimation of frequency
dependent properties in the case of other slightly altered bow-tie
detector geometry.
Keywords: terahertz emission, InGaAs,
antenna effects, FDTD method
PACS: 73.21.Fg, 78.55.Cr, 78.67.De
PETELIŠKĖS FORMOS InGaAs
DETEKTORIŲ DAŽNINĖS SAVYBĖS TERAHERCŲ SRITYJE
L. Minkevičiusa,b I. Kašalynasa, D. Seliutaa,
V. Tamošiūnasa,b, and G. Valušisa,b
aFizinių ir technologijos mokslų centro
Puslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva
bVilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva
Pateikti trimačio elektromagnetinių bangų
sklidimo modeliavimo baigtinių skirtumų laiko skalėje (finite
difference time domain – FDTD) [11]) metodu gauti rezultatai
įvairių matmenų peteliškių formos detektoriams. Tyrimo metu buvo
keičiami abiejų metalizuotų dalių ilgiai, kampas ties apatinės
dalies smaile bei nagrinėjama šių pokyčių įtaka elektrinio lauko
spektrui. Nustatyta, kad tiriamo detektoriaus veikimą nulemia
elektrinio lauko pasiskirstymo nevienalytiškumas dvimačių
elektronų sluoksnyje, todėl tikėtina, kad didžiausią įtaką
dažninėms detektoriaus savybėms turės elektrinio lauko stiprio
priklausomybė nuo dažnio siaurojoje dalyje ties smaile. Teorinio
tyrimo metu išryškėjo keletas esminių dėsningumų. Nustatyta, kad
du atskirti metalizuoti kontaktai veikia kaip dvi atskiros antenos
su aiškiai išreikštomis rezonansinėmis savybėmis. Parodyta, kad
didėjant dažniui lokalių maksimumų, susijusių su antenų efektais,
amplitudė mažėja, ir tai leidžia paaiškinti, kodėl eksperimento
metu buvo stebimas greitesnis už fenomenologinio modelio
numatytąjį jautrio mažėjimas.
References / Nuorodos
[1] B.N. Behnken, G. Karunasiri, D.R. Chamberlin, P.R. Robrish, and
J. Faist, Real-time imaging using a 2.8 THz quantum cascade laser
and uncooled infrared microbolometer camera, Opt. Lett. 33,
440–442 (2008),
http://dx.doi.org/10.1364/OL.33.000440
[2] W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.-Q. Lü, M.S. Shur, C.A.
Saylor, and L.C. Brunel, Resonant detection of subterahertz
radiation by plasma waves in a submicron field-effect transistor,
Appl. Phys. Lett. 80, 3433–3435 (2002),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1473685
[3] A. Lisauskas, U. Pfeiffer, E. Öjefors, P. Haring Bolìvar, D.
Glaab, and H.G. Roskos, Rational design of high-responsivity
detectors of terahertz radiation based on distributed self-mixing in
silicon field-effect transistors, J. Appl. Phys. 105, 114511
(2009),
http://dx.doi.org/10.1063/1.3140611
[4] A. Lisauskas, W. von Spiegel, S. Boubanga-Tombet, A. El Fatimy,
D. Coquillat, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, and H.G. Roskos,
Terahertz imaging with GaAs field-effect transistors, Electron.
Lett. 44, 408–409 (2008),
http://dx.doi.org/10.1049/el:20080172
[5] W. Knap, M. Dyakonov, D. Coquillat, F. Teppe, N. Dyakonova, J.
Łusakowski, K. Karpierz, M. Sakowicz, G. Valusis, D. Seliuta, I.
Kasalynas, A. El Fatimy, Y. Meziani, and T. Otsuji, Field effect
transistors for terahertz detection: Physics and first imaging
applications, J. Infrared Millimet. Terahz. Waves 30,
1319–1338 (2009),
http://dx.doi.org/10.1007/s10762-009-9564-9
[6] S. Nadar, H. Videlier, D. Coquillat, F. Teppe, N. Dyakonova, W.
Knap, G. Valusis, D. Seliuta, and I. Kasalynas, Terahertz imaging
using a GaAs field effect transistor as plasma wave detector
[submitted to J. Appl. Phys. (2010)]
[7] M. Lee, M.C. Wanke, and J.L. Reno, Millimeter wave mixing using
plasmon and bolometric response in a double-quantum-well
field-effect transistor, Appl. Phys. Lett. 86, 033501
(2005),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1851606
[8] I. Kašalynas, D. Seliuta, R. Simniškis, V. Tamošiūnas, K.
Köhler, and G. Valušis, Terahertz imaging with bow-tie InGaAs-based
diode with broken symmetry, Electron. Lett. 45, 833–835
(2009),
http://dx.doi.org/10.1049/el.2009.0336
[9] D. Seliuta, E. Širmulis, V. Tamošiūnas, S. Balakauskas, S.
Ašmontas, A. Sužiedėlis, J. Gradauskas, G. Valušis, A. Lisauskas,
H.G. Roskos, and K. Köhler, Detection of terahertz/sub-terahertz
radiation by asymmetrically-shaped 2DEG layers, Electron. Lett. 40,
631–632 (2004),
http://dx.doi.org/10.1049/el:20040412
[10] D. Seliuta, I. Kašalynas, V. Tamošiūnas, S. Balakauskas, Z.
Martūnas, S. Ašmontas, G. Valušis, A. Lisauskas, H.G. Roskos, and K.
Köhler, Silicon lens-coupled bow-tie InGaAs-based broadband
terahertz sensor operating at room temperature, Electron. Lett. 42,
825–827 (2006),
http://dx.doi.org/10.1049/el:20061224
[11] A. Taflove and S.C. Hagness, Computational Electrodynamics:
The Finite-Difference Time Domain Method, 2nd ed. (Artech
House, Norwood, MA 2000),
http://www.amazon.com/Computational-Electrodynamics-Finite-Difference-Time-Domain-Propagation/dp/1580530761/
[12] A. Sužiedėlis, S. Ašmontas, J. Gradauskas, G. Valušis, and H.G.
Roskos, Giga- and terahertz frequency band detector based on an
asymmetrically-necked n–n+-GaAs planar
structure, J. Appl. Phys. 93, 3034–3038 (2003),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1536024