ELECTRON TRANSPORT IN MODULATION-DOPED InAlAs/InGaAs/InAlAs AND AlGaAs/InGaAs/AlGaAs HETEROSTRUCTURES
J. Požela ^a, K. Požela ^a, V. Jucienė ^a, A. Sužiedėlis ^a, N. Žurauskienė ^a, and A.S. Shkolnik ^b
a Semiconductor Physics Institute, Center for Physical Sciences and Technology, A. Goštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania
E-mail: pozela@pfi.lt
^b Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11, 44263 Dortmund, Germany

Received 14 June 2011; revised 3 November 2011; accepted 1 December 2011

The possibilities of enhancing the electron mobility and high-field drift velocity in channels of modulation-doped InAlAs/InGaAs and AlGaAs/InGaAs quantum wells by tuning interaction of electrons with interface phonons are tested and reviewed. A large increase in the mobility is achieved in a novel metamorphic In_0.7Al_0.3As/In_0.8Ga_0.2As structure with the high InAs content in the InAlAs barrier layer as well as in the Al_xGa_1-xAs/In_0.2Ga_0.8As structure with the low AlAs content in the AlGaAs barrier layer. An enhancement in the electron mobility by inserting thin InAs layers into the In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As quantum well is obtained. The electron drift velocity saturates at high electric fields of 1.5–5 kV/cm and achieves a maximal value of 2.5·10⁷ cm/s in the InGaAs quantum well with the thin InAs and GaAs inserts.

ELEKTRONŲ PERNAŠA MODULIUOTAI LEGIRUOTUOSE InAlAs/InGaAs/InAlAs IR AlGaAs/InGaAs/AlGaAs DARINIUOSE

J. Požela ^a, K. Požela ^a, V. Jucienė ^a, A. Sužiedėlis ^a, N. Žurauskienė ^a, A.S. Shkolnik ^b

^a Fizinių ir technologijos mokslų centro Puslaidininkių fizikos institutas,Vilnius, Lietuva
^b Innolume GmbH, Dortmundas, Vokietija

Tiriamos ir apžvelgiamos elektronų judrio ir dreifo greičio stipriuose elektriniuose laukuose padidinimo galimybės moduliuotai legiruotų InAlAs/InGaAs ir AlGaAs/InGaAs darinių kvantinėse duobėse, reguliuojant elektronų sąveiką su paviršiniais fononais. Judris itin padidėjo naujame metamorfiniame In_0,7Al_0,3As/In_0,8Ga_0,2As darinyje su didele InAs moline dalimi InAlAs barjero sluoksnyje, taip pat Al_xGa_1-xAs/In_0.2Ga_0.8As darinyje su maža InAs dalimi AlGaAs barjero sluoksnyje. Taip pat judris padidėjo, kai ploni InAs sluoksniai yra įterpti į In_0,52Al_0,48As/In_0,53Ga_0,47As kvantinę duobę. Elektronų dreifo greitis įsisotina 1,5–5 kV/cm stiprio elektriniuose laukuose ir jo maksimali vertė yra 2,5·10⁷ cm/s InGaAs kvantinėse duobėse, turinčiose plonus InAs ir GaAs intarpus.