[PDF]   

Open access article / Atviros prieigos straipsnis

Lith. J. Phys. 54, 187–198 (2014)


PHOTOLUMINESCENCE FEATURES AND CARRIER DYNAMICS IN InGaN HETEROSTRUCTURES WITH WIDE STAIRCASE INTERLAYERS AND DIFFERENTLY SHAPED QUANTUM WELLS
Arūnas Kadys, Tadas Malinauskas, Mantas Dmukauskas, Ignas Reklaitis, Kazimieras Nomeika, Vytautas Gudelis, Ramūnas Aleksiejūnas, Patrik Ščajev, Saulius Nargelas, Saulius Miasojedovas, and Kęstutis Jarašiūnas
Institute of Applied Research, Vilnius University, Saulėtekio 9-III, LT-10222 Vilnius, Lithuania
E-mail: kestutis.jarasiunas@ff.vu.lt

Received 22 April 2014; revised 15 June 2014; accepted 23 September 2014

We present a comprehensive study of photoexcited carrier dynamics in differently grown InGaN/InGaN multiple quantum well (MQW) structures, modified by insertion of a wide interlayer structure and subsequent growth of differently shaped quantum wells (rectangular, triangular, trapezoidal). This approach of strain management allowed the reduction of dislocation density due to gradually increasing In content in the interlayer and shaping the smooth quantum well/barrier interfaces. A set of c-oriented MQW structures emitting at 470 nm were grown at Vilnius University, Institute of Applied Research, using a closed coupled showerhead type MOCVD reactor. Photoluminescence (PL) spectra of MQW structures were analysed combining continuous wave and pulsed PL measurements. Reactive ion etching of the structures enabled discrimination of PL signals originated in the InGaN interlayer structure, underlying quantum wells, and quantum barriers, thus providing growth-related conditions for enhanced carrier localization in the wells. Time-resolved PL and differential transmission kinetics provided carrier lifetimes and their spectral distribution, being the longest in triangular-shape QWs which exhibited the highest PL intensity. The light-induced transient grating (LITG) technique was used to determine the spatially averaged carrier lifetime in the entire heterostructure, in this way unravelling the electronic quality of the LED internal structure at conditions similar to device performance. LITG decay rates at low and high excitation energy densities revealed increasing with photoexcitation nonradiative recombination rate in the triangular and trapezoidal wells.
Keywords: light emitting diodes, nitride semiconductors, photoluminescence, carrier recombination
PACS: 73.21.Fg; 78.67.-n; 78.47.-p

FOTOLIUMINESCENCIJOS YPATUMAI IR KRŪVININKŲ DINAMIKA InGaN HETEROSANDAROSE SU PLAČIU LAIPTUOTU TARPSLUOKSNIU IR SKIRTINGO PROFILIO KVANTINĖMIS DUOBĖMIS
Arūnas Kadys, Tadas Malinauskas, Mantas Dmukauskas, Ignas Reklaitis, Kazimieras Nomeika, Vytautas Gudelis, Ramūnas Aleksiejūnas, Patrik Ščajev, Saulius Nargelas, Saulius Miasojedovas, and Kęstutis Jarašiūnas
Vilniaus universiteto Taikomųjų mokslų institutas, Vilnius, Lietuva

Pristatome išsamius fotosužadintų krūvininkų dinamikos tyrimus daugialypėse InGaN kvantinėse sandarose su plačiu laiptuotu tarpsluoksniu ir skirtingo profilio kvantinėmis duobėmis (stačiakampėmis, trikampėmis, trapecinėmis). Šis įtempimų valdymo būdas dėl palaipsniui didėjančio In kiekio tarpsluoksnyje ir sklandaus sandūrų tarp kvantinių duobių bei barjerų formavimo leido sumažinti dislokacijų tankį. Daugialypės kvantinės sandaros, orientuotos išilgai c ašies ir šviečiančios ties 470 nm, buvo pagamintos Vilniaus universiteto Taikomųjų mokslų instituto MOCVD reaktoriuje. Fotoliuminescencijos (FL) spektrų matavimai buvo atlikti nuolatinės veikos ir impulsinio žadinimo sąlygomis. Bandinių reaktyvus joninis ėsdinimas leido identifikuoti FL atsaką iš InGaN tarpsluoksnio, kvantinių duobių ir kvantinių barjerų, tokiu būdu parodant su auginimu susijusias sąlygas, lemiančias geresnę krūvininkų lokalizaciją duobėse. Iš laikinės skyros FL ir skirtuminio pralaidumo kinetikų įvertintos krūvininkų gyvavimo trukmės (ir jų spektrinis pasiskirstymas) buvo ilgiausios trikampėse kvantinėse duobėse, kuriose taip pat stebėtas didžiausias FL intensyvumas. Šviesa indukuotų difrakcinių gardelių metodika panaudota nustatant erdviškai suvidurkintą krūvininkų gyvavimo trukmę visoje heterostruktūroje, tai leido įvertinti vidinės šviestuko struktūros kokybę panašiomis prietaisų veiklai sąlygomis. Gardelių irimo spartos esant žemam ir aukštam žadinimo energijos tankiui atskleidė su fotosužadinimu augančią nespindulinės rekombinacijos spartą trikampio ir trapecinio profilio duobėse.

References / Nuorodos

[1] G. Verzellesi, D. Saguatti, M. Meneghini, F. Bertazzi, M. Goano, G. Meneghesso, and E. Zanoni, Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies, J. Appl. Phys. 114, 071101 (2013),
http://dx.doi.org/10.1063/1.4816434
[2] V. Avrutin, S.A. Hafiz, F. Zhang, Ü. Özgür, H. Morkoç, and A. Matulionis, InGaN light-emitting diodes: Efficiency-limiting processes at high injection, J. Vac. Sci. Technol. A 31, 050809 (2013),
http://dx.doi.org/10.1116/1.4810789
[3] J. Piprek, Efficiency droop in nitride-based lightemitting diodes, Phys. Status Solidi A 207, 2217–2225 (2010),
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201026149
[4] E. Kioupiakis, P. Rinke, K.T. Delaney, and C.G. Van de Walle, Indirect Auger recombination as a cause of efficiency droop in nitride light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 98, 161107 (2011),
http://dx.doi.org/10.1063/1.3570656
[5] J. Hader, J.V. Moloney, and S.W. Koch, Density-activated defect recombination as a possible explanation for the efficiency droop in GaN-based diodes, Appl. Phys. Lett. 96, 221106 (2010),
http://dx.doi.org/10.1063/1.3446889
[6] T. Malinauskas, A. Kadys, T. Grinys, S. Nargelas, R. Aleksiejūnas, S. Miasojedovas, J. Mickevičius, R. Tomašiūnas, K. Jarašiūnas, M. Vengris, S. Okur, V. Avrutin, X. Li, F. Zhang, Ü. Özgür, and H. Morkoç, Impact of carrier localization, recombination, and diffusivity on excited state dynamics in InGaN/GaN quantum wells, Proc. SPIE 8262, 82621S-1 (2012),
http://dx.doi.org/10.1117/12.906488
[7] R. Aleksiejūnas, K. Gelžinytė, S. Nargelas, K. Jarašiūnas, M. Vengris, E.A. Armour, D.P. Byrnes, R.A. Arif, S.M. Lee, and G.D. Papasouliotis, Diffusion-driven and excitation-dependent recombination rate in blue InGaN/GaN quantum well structures, Appl. Phys. Lett. 104, 022114 (2014),
http://dx.doi.org/10.1063/1.4862026
[8] J.I. Shim, H. Kim, D.S. Shin, and H.Y. Yoo, An explanation of efficiency droop in InGaN-based light emitting diodes: saturated radiative recombination rate at randomly distributed In-rich active areas, J. Korean Phys. Soc. 58, 503–508 (2011),
http://dx.doi.org/10.3938/jkps.58.503
[9] B.-J. Ahn, T.-S. Kim, Y. Dong, M.-T. Hong, J.-H. Song, J.-H. Song, H.-K. Yuh, S.-C. Choi, D.-K. Bae, and Y. Moon, Experimental determination of current spill-over and its effect on the efficiency droop in InGaN/GaN blue-light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 100, 031905 (2012),
http://dx.doi.org/10.1063/1.3678029
[10] X. Ni, X. Li, J. Lee, S. Liu, V. Avrutin, Ü. Özgür, H. Morkoç, A. Matulionis, T. Paskova, G. Mulholland, and K.R. Evans, InGaN staircase electron injector for reduction of electron overflow in InGaN light emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 97, 031110 (2010),
http://dx.doi.org/10.1063/1.3465658
[11] M.H. Kim, M.F. Schubert, Q. Dai, J.K. Kim, E.F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Origin of efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007),
http://dx.doi.org/10.1063/1.2800290
[12] S.-H. Han, D.-Y. Lee, H.-W. Shim, G.-Ch. Kim, Y.S. Kim, S.-T. Kim, S.-J. Lee, Ch.-Y. Cho, and S.-J. Park, Improvement of efficiency droop in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with trapezoidal wells, J. Phys. Appl. Phys. 43, 354004 (2010),
http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/43/35/354004
[13] H. Zhao, G. Liu, J. Zhang, J.D. Poplawsky, V. Dierolf, and N. Tansu, Approaches for high internal quantum efficiency green InGaN light-emitting diodes with large overlap quantum wells, Opt. Express 19, A991–A1007 (2011),
http://dx.doi.org/10.1364/OE.19.00A991
[14] M. Leyer, J. Stellmach, Ch. Meissner, M. Pristovsek, and M. Kneissl, The critical thickness of InGaN on (0001) GaN, J. Cryst. Growth 310, 4913–4915 (2008),
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.08.021
[15] K. Pantzas, G. Patriarche, G. Orsal, S. Gautier, T. Moudakir, M. Abid, V. Gorge, Z. Djebbour, P.L. Voss, and A. Ougazzaden, Investigation of a relaxation mechanism specific to InGaN for improved MOVPE growth of nitride solar cell materials, Phys. Status Solidi A 209(1), 25–28 (2012),
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201100154
[16] K. Jarašiūnas, R. Aleksiejūnas, T. Malinauskas, V. Gudelis, T. Tamulevičius, S. Tamulevičius, A. Guobienė, A. Usikov, V. Dmitriev, and H.J. Gerritsen, Implementation of diffractive optical element in four-wave mixing scheme for ex situ characterization of hydride vapor phase epitaxy-grown GaN layers, Rev. Sci. Instrum. 78, 033901 (2007),
http://dx.doi.org/10.1063/1.2712788
[17] P. Ščajev, K. Jarašiūnas, S. Okur, Ü. Özgür, and H. Morkoç, Carrier dynamics in bulk GaN, J. Appl. Phys. 111, 023702 (2012),
http://dx.doi.org/10.1063/1.3673851
[18] P. Ščajev, A. Usikov, V. Soukhoveev, R. Aleksiejūnas, and K. Jarašiūnas, Diffusion-limited nonradiative recombination at extended defects in hydride vapor phase epitaxy GaN layers, Appl. Phys. Lett. 98, 202105 (2011),
http://dx.doi.org/10.1063/1.3591173
[19] G. Li, S.J. Chua, S.J. Xu, W. Wang, P. Li, B. Beaumont, and P. Gibart, Nature and elimination of yellow-band luminescence and donor–acceptor emission of undoped GaN, Appl. Phys. Lett. 74, 2821–2823 (1999),
http://dx.doi.org/10.1063/1.124025
[20] V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, V.V. Emtsev, D.A. Kurdyukov, S.V. Ivanov, V.A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, J. Aderhold, J. Graul, A.V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and E.E. Haller, Band gap of hexagonal InN and InGaN alloys, Phys. Status Solidi B 234(3), 787–795 (2002),
http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200212)234:3<787::AID-PSSB787>3.0.CO;2-H
[21] N. Peyghambarian, S.W. Koch, and A. Mysyrowicz, Introduction to Semiconductor Optics (Prentice Hall, 1993),
http://www.amazon.co.uk/Introduction-Semiconductor-Prentice-Physical-Electronics/dp/0136389902/