TURINYS
A. Petrauskas. Tankio matricos dedamųjų lygtys supermultipletinėse bazėse. P. 9
M.Taurinskas. Efektyvaus tarpnukleoninio potencialo radimas iš Talmi integralų rinkinio. P. 18
J.Čiplys. Hartrio ir Foko lygčių skaitmeninių sprendinių aproksimavimas mažiausių kvadratų metodu Sleterio tipo orbitalėmis. P. 27
A.Šurkus, R. Rakauskas, A. Bolotinas. Molekulinių jonų ArH+2, Ar2H+ , ArH+3 neempirinis skaičiavimas. P. 37
N. Mykolaitienė, J. Batarūnas, A. Audzijonis, K. Žeimantas, A. Kancerevičius. Rezonansinių kovalentinių cheminių ryšių indėlis į binarinių junginių A2vB3vi kristalų savybių teorinius skaičiavimus. P. 43
K. Žičkus, A. Audzijonis, J. Batarūnas, A.Stasiukynas,A. Šileika. BiSel monokristalų optinės savybės ir juostinė sandara. P. 49
N. Lukjančikova. Žemadažnis triukšmas puslaidininkiniuose dioduose. P. 67
A. Koninas. Pernešimo lygties kraštinės sąlygos, kai fononai velka elektronus. P. 70
S. Ašmontas, A. Brazas. Silicio n+-n-n+ sandarų su skirtingais legiruojančių priemaišų gradientais voltamperinės charakteristikos. P. 76.
A. Kavaliauskas, A. Šilėnas, E. Šimulytė. Varizoninių n-AxCa1_xAs sluoksnių voltamperinės charakteristikos. P. 84
J. Kaladė, I. Lacitis, E. Montrimas. Puslaidininkinio sluoksnio laidumas metalas- dielektrikas-puslaidininkis-padėklas sandaroje. P. 90.
A. Undzėnas, L. Perelman, D. Ruškys, A. Popovas. Bromintų poli-N-epoksipropilkarbazolų fotofizinių savybių tyrimas. P. 101.
V. Švedas, J. -A. Stakišaitis. Cezio Rydbergo atomų jonizacijos cezio garuose tyrimai. P. 107.
A. Visackas, V. Ivaška, J. Meškauskas. Srovės šuolio trukmės įtaka nenuostoviesiems ferito įmagnetėjimo vektoriaus virpesiams. P. 113.
CONTENTS
A. Petrauskas. Component density matrix equations in the supermultiplet basis. P. 9.
M. Taurinskas. Determination of the effective internucleon potential from the set of Talmi intergals. P. 18.
J. Čiplys. The least square approximation in the numerical solutions of Hartree-Fock equations by Slater type orbitals. P. 28.
A. Šurkus, R. Rakauskas, A. Bolotin. Ab initio study of molecular ions ArH+2, Ar2H+ and ArH+3. P. 37.
N. Mykolaitienė, J. Batarūnas, A. Audzijonis, K. Žeimantas, A. Kancerevičius. Inclusion of resonating-valence-bonds in theoretical calculation of physical properties of binary compound A2vB3vi crystals. P. 43.
K. Žičkus, A. Audzijonis, J. Batarūnas, A. Stasiukynas, A.Šileika. Optical properties and band stucture of BiSel signle crystals. P. 50.
N. B. Lukyanchikova. Low frequency noise in semiconductor diodes. P. 67.
A. Konin. Bounadry conditions for transport equation in the problem of the phonon drag of electrons. P. 71.
S. Ašmontas, A. Brazas. Current-voltage characteristics of silicon n+-n-n+- structures with the asymmetric distribution of doping impuryty. P. 77.
A. Kavaliauskas, A. Šilėnas, E. Šimulytė. I-V characteristics of graded-gap n-AlxGa1-xAs layers. P. 84.
J. Kaladė, I. Lacitis, E. Montrimas. Conductivity of semiconuctor layer in MIS-substrate structure. P. 91.
A. Undzėnas, L. Perelman, D. Ruškys, A. Popov. Investigation of photophysical properties of brominated poly-N-epoxypropylcarbazoles. P. 101.
V. Švedas, J.-A. Stakišaitis. Experimental studies of Cs Rydberg atom ionization rate in Cs vapour. P. 107.
A. Visackas, V. Ivaška, J. Meškauskas. The influence of the finite growth of the stimulating current jump on nonstationary oscillations of magnetization vector in a ferrite. P. 113.
TURINYS
A. Petrauskas. Unitarinės schemos tankio matrica bei grandinėlės O(A-1) S(A) Klebšo ir Gordano koeficijentai. P. 10.
B. Kaulakys, R. Petruškevičius. Tankių Rydbergo atomų dujų smūginės jonizacijos kinetikos teorinis tyrimas. P. 19.
V. Mickevičius. Atomų elektroninių apvalkalų deformacija kristale ir vietinės orbitalės. P. 25.
G. Lasienė, K. Pyragas, A. Tamaševičius. Elektronų energijos sklaida elektringais centrais puslaidininkuose. P. 31.
V. Palenskis, J. Laučius, H. Mykolaitis. F-B modeliavimas ir jų statistinės savybės. P. 40.
S. Gancevičius, V. Kaganas, R. Katilius. Ilgalaikė koreliacija kinetikoje . P. 54.
V.Skrickis, V. Samulionis. Akustinė joninė sąveika superjoniniuose kristaluose. P. 58.
L. Felas. Vienaašės deformacijos įtaka silicio ir germanio termoelektroninei emisijai. P. 65.
Ch. Garbas, R. Mejerova, G. Počikajevas, P. Fridbergas. Arti lygiagrečių ekranų esančios stačiakampės angos poliarizuojamumo koeficijientai. P. 71.
V. Paprotnis, J. Grigas, L. Syrkinas. Mikrobangė dielektrinė dispersija stibio chalkohalogenido-2 medžiagoje. P. 79.
P. Balkevičius, A. Dementjevas, J. Lukošius, E. Maldutis, V. Taurulis. Fokusuotų lazerio spindulių bangos fronto apgrąžos eksperimentinis tyrimas kondensuotose medžiagose, esant priverstinei Mandeštamo ir Brijueno sklaidai. P. 89.
V. Rinkevičius, G. Kavaliauskienė. Didelės varžos galio arsenido šiluma skatintas laidumas. P. 94.
S. Balevičius, A. Deksnys, V. Lisauskas, A. Poškus, N. Šiktorovas. Nanosekundinio perjungimo pastovumo sąlygos amorfiniuose In, Ga, Ge,Si telūridų sluoksniuose. P. 101.
V. Gaidelis. Krūvininkų pagavimo giliais centrais reikšme elektrofotografiniams monopoliarinio fotolaidumo sluoksniams. P. 111.
Trumpas pranešimas. P. 113.
Kronika. P. 116.
CONTENTS
A. Petrauskas. Matrix density of the unitary scheme and the Clebsh-Gordon coefficientsfor the chain O(A-1) S(A). P. 10.
B. Kaulakys, R. Petruškevičius. Theoretical investigation of collisional ionization kinetics of a dense Rydberg atom gas. P. 19.
V. Mickevičius. Deformation of atom electron clouds in a crystal and the local orbitals. P. 25.
G. Lasienė, K. Pyragas, A. Tamaševičius. Electron energy scattering by charged centres in semiconductor. P. 31.
V. Palenskis, J. Laučius, H. Mykolaitis. Modelling and statistical properties of flicker-noise. P. 41.
S. Gantsevich, V. Kagan, R. Katilius. Long-lived correlation in kinetics. P. 54.
V. Skritskij, V. Samulionis. Accustoionic interaction in superionic crystals. P. 58.
l. Fel. The influence of uniaxial deformation on thermionic emission from silicon and germanium. P. 65.
Kh. Garb, R. Mejerova, G. Potchykaev, P. Fridberg. Polarizability of the rectangular aperture with parallel screens placed near by. P. 71.
W. Paprotny, J. Grigas, L. Syrkin. Microwave dielectric dispersion in antimony chalcohalogenide-2. P. 80.
P. Balkevičius, A. Dementjev, J. Lukošius, E. Maldutis, V. Tarulis. The experimental investigation of wavefront reversal of focused laser beams under simulated Brillouin scattering in condensed materials. P. 89.
V. Rinkevičius, G. Kavaliauskienė. Thermally stimulated conductivity in semiinsulating gallium arsenide. P. 94.
S. Balevičius, A. Deksnys , V. Lisauskas , A. Poškus, N. Shikchtorov. Nanosecond switching stability creterions in amorphous film of In, Ga, Ge, and Si tellurides. P. 101.
V. Gaidelis. The role of charge carrier deep trapping in electrophotographic layer with monopolar photoconductivity. P. 112.
Short communication. P. 113.
Cronicle. P. 116.
TURINYS
B. Kaulakys, P. Serapinas. Rydbergo atomų sąveikos su neutraliomis atominėmis dalelėmis spektroskopinis tyrimas (apžvalga). P. 37.
E. Norvaišas. Klebšo ir Gordano koeficientai, surišantys simetrinius U6 grupės atvaizdus U6 U3 U2 (SO3) bazėje. P. 42.
B. Martinėnas. Kai kurios BMR generatoriaus darbo nevienalyčiame magnetiniame lauke ypatybės. P. 47.
B. Kaulakys, A. Čižiūnas, V. Švedas. Rydbergo atomų smūginės jonizacijos difuzinis mechanizmas. P. 58.
A. Dementjevas, D. Domarkienė. Židinio poslinkis dėl fokusuoto spinduliavimo difrakcijos nuo mažos stačiakampės apertūros. P. 67.
S. Ašmontas, L. Vingelis, A. Olekas. nn+ sandūros staigumo įtaka karštųjų elektronų šiluminės elektrovaros jėgos vertei silicyje. P. 75.
S. Ašmontas, E. Širmulis, S. Stonys. Fotoelektrovaros jėgos, atsirandančios apšvietus germanio pn sandūrą CO2 lazerio impulsu tyrimas. P. 82.
A. Česnys, A. Oginskas, E. Butinavičiūtė, V. Lisauskas, N. Šiktorovas. Krūvio pernešimo ir elektrinio pramušimo procesų amorfinio GaTe3 ir monokristalinio Si nevienalytėje sandaroje tyrimas. P. 88.
G. Babonas, E. Leonovas, I. Muminovas, V. Orlovas, V. Petrikovas, D. Senulienė. Bi25 FeO40 kristalų virpesių spektro tyrimai. P. 96.
R. Bliumbergas, A. Undzėnas. Elekroninės sąveikos karbazoliliniuose foto puslaidininkiuose tyrimas. P. 105.
Trumpas pranešimas. P. 107.
Kronika. P. 110.
CONTENTS
B. Kaulakys, P. Serapinas. Spectroscopic investigation of the interaction between Rydberg atoms and neutral atomic particles (review). P. 37.
E. Norvaišas. Clebsch-Gordan coefficients of the symmetrical representations of the U6 group in the basis U6 U3 U2 (SO3). P. 43
B. Martinėnas. Some peculiarities of a maser working on an inhomogeneously broadened line. P. 47.
B. Kaulakys, A. Čižiūnas, V. Švedas. Diffusion mechaism for collisional ionization of Rydberg atom. P. 58.
A. Dementiev, D. Domarkienė. Focal shift under the diffraction of the focused radiation by the small rectangular aperture. P. 68.
S. Ašmontas, L. Vingelis, A. Olekas. Influence of n-n+ junction thickness on the magnitute of hot electron thermo e. m. f. P. 75.
S. Ašmontas, E. Širmulis, S. Stonys. Investigation of the photovoltage across germanium p-n-junction under pulsed CO2 laser irradiation. P. 82.
A. Česnys, A. Oginskas, E. Butinavičiūtė, V. Lisauskas, N. Šiktorovas. Investigation of the electrical transport and breakdown phenomena of amorphous GaTe3-monocrystalline Si heterjunctions. P. 89.
G. Babonas, E. Leonov, I. Muminov, V. Orlov, V. Petrikov, D. Senulienė. Investigation of the vibrational spectrum of Bi25feO40 crystals. P. 96.
R. Bliumbergas, A. Undzėnas. Investigation of electronic interaction in carbazolyl-containing photoconductors. P. 106.
Short communication. P. 107.
Cronicle. P. 110.
TURINYS
G. Žukauskas, J. Kaniauskas. Sukinį turinčių dalelių neredukuotiniai tenzoriniai rinkiniai. P. 15.
S. Kučas, R. Karazija, V. Tutlys. Kai kurie konfiguracijų (s+d)n+1 maišymosi dėsningumai. P. 28.
A. Sargautis, R. Dagys. 4f-5d sužadinimo spektro tyrimas samario monochalkogeniduose. P. 32.
G. Kavaliauskienė, V. Rinkevičius. Temperatūros gradiento įtaka šiluma skatintoms srovėms. P. 39.
J. Požela, A. Saščiuk, V. Šilalnikas. Galvanomagnetinio rekombinacinio efekto tyrimas legiruotame silicyje. P. 45.
A. Kavaliauskas, A. Šilėnas, E. Šimulytė. Evj, susidarusios vienodo tipo GaAs-Algxa1-xAs sandaroje staigiai pakitus slėgiui arba temperatūrai, tyrimas. P. 50.
M. Mikalkevičiutė, K. Tumkevičius, V. Balčiūnas. Jautrintų PbTe sluoksnių atsitiktinio potencialo prigimtis ir su juo susiję reiškiniai. P. 56.
V. Karalkevičiutė, A. Sakalas, Z. Januškevičius. p-CdP2 monokristalų akceptoriniai centrai. P. 63.
R. Pūras , G. Zubauskas, G. Balčaitis, A. Sakalas, L. Pranevičius. Daugiakomponenčių junginių kristalų defektų įtaka antrinei joninei emisijai. P. 69.
V. Gaidelis,J. Kaladė, E. Montrimas, D. Jurevičius. Organinių elektrofotografinių sluoksnių, apšviečiamų trumpais šviesos impulsais, fotoišsielektrinimo ypatumai. P. 78.
V. Gadelis, L. Jelenskis, E. Montrimas, D. Jurevičius. Poli-N-epoksipropilkarbazolo sluoksnių fotojautrio priklausomybės nuo temperatūros tyrimas. P. 89.
Trumpi pranešimai. P. 90.
Kronika. P. 95.
CONTENTS
G. Žukauskas, J. Kaniauskas. Irreducible tensiorial sets for particle with the spin. P. 15.
S. Kučas, R. Karazija, V. Tutlys. Some regularities of the (s+d)n+1 configurations mixing. P. 28.
A. Sargautis, R. Dagys. The calculation of the 4f-5d excitation sperctrum in samarium monochalcogenides. P. 33.
G. Kavaliauskienė, V. Rinkevičius. Influence of temperature gradient on the thermally stimulated currents. P. 39.
J. Požela, A. Saščiuk, V. Šilalnikas. Investigation of galvanomagneticrecombination effect in silicon at different doping levels. P. 45.
A. Kavaliauskas, A. Šilėnas, E. Šimulytė. Investigation of e.m.f. in the isotype gaAS-AIxGa1-xAs structure after sudden change of pressure or temperature. P. 51.
M. Mikalkevičiutė, K. Tumkevičius, V. Balčiūnas. The nature of a random potential in the sensitized layers of Pb Te, and related phenomena. P. 57.
V. Karalkevičiutė, A. Sakalas, Z. Januškevičius. Acceptor levels in p-CdP2. p. 64.
R. Pūras , G. Zubauskas, G. Balčaitis, A. Sakalas, L. Pranevičius. Influence of radiaton defects on the secondary ion emission from multiple crystals. P. 69.
V. Gaidelis,L. Jelenskis, J. Kaladė, E. Montrimas, D. Jurevičius. Peculiarites of photodischarge of organic electrophotographic layers under short light pusle exposition. P. 79.
V. Gaidelis, L. Jelenskis, E. Montrimas, D. Jurevičius. The investigation of temperature influence on photsensitivity of ploy-N-epoxypropylcarbazole layers. P. 89.
Short communication. P. 90.
Cronicle. P. 95.
TURINYS
J. Požėla, V. Jucienė. Supergreitaeigiai tranzistoriai (apžvalga). P. 25
P. Bogdanovičius,G. Žukauskas, S. Šandžiuvienė. Atomo energijos koreliacinės pataisos, lemiamos n1l1N1-1 n2l2N2 n3l3 ir n3l34l3+1 n1l1N1+1 n2l2N2 tipo konfigūracijų. P. 37.
A. Karosienė, A. Kancerevičius. Apie fotojonizacijos skerspjūvio tyrimą dviduobio fotoelektrono efektinio potencialo sąlygomis. P. 46.
A. Kancerevičius. Apie atomų su atviraisiais sluoksniais Hartrio ir Foko lygčių sprendimą. P. 56.
V. Šugurovas, V. Šugurovas. Difuzijos lygties sprendimas integralinių lygčių metodu. P. 62.
K. Makariūnas , E. Makariūnienė. 109Cd branduolių skilimo nelėtėjimo CdS ir CdTe aiškinimas. P. 73.
E. Makariūnienė, K. Makarūnas. Vidinės konversijos vidiniuose elektronų sluoksniuose tikimybių kitimai jonuose (Z=49). P. 85.
S. Marcinkevičius , G. Ambrazevičius, G. Babonas, N. Korėcas. CdP2 absorbcijos kraštas. P. 93.
S. Kačiulis, J. Paršėliūnas, S. Bočkariovas, P. Šiktorovas. Neigiamoji karštujų elektronų magnetovarža n-GaAs 300 K temperatūroje. P. 100.
A. Visackas, J. Meškauskas. Nenuostoviųjų ferito įmagnetėjimo vektoriaus virpesių temperatūrinė priklausomybė. P. 104.
A. Amulevičius, R. Davidonis, L. Šeikis. Geležies plėvelių, išgarintų ir iškaitintų vakuume užteršimo tyrimai Mesbauerio spektroskopijos metodu. P. 109
A. Amulevičius, R. Davidonis. Atomų magnetinio momento pasiskirstymo geležies plėvelėse tyrimas. P. 114.
Trumpas pranešimas. P. 115.
Kronika. P. 118.
CONTENTS
J. Požėla, V. Jucienė. High-speed transistors (a review). P. 26
P. Bogdanovich,G. Žukauskas, S. Šadžiuvienė. Atomic energy correlation corrections defined by configurations n1l1N1-1 n2l2N2 n3l3 ir n3l3 and 4l3+1 n1l1N1+1 n2l2N2 . P. 37.
A. Karosienė, A. Kancerevičius. On the investigation of the free electron photoionization cross section in the case of the double-well efective potential. P. 46.
A. Kancerevičius. On the solution of the Hartree-Fock equations for atoms with the open shells. P. 56.
V. Shugurov, V. Shugurov. Solution of the diffusion equation by means of integrals. P. 62.
J. Šulskus, V. Urba, V. Šalna, L-M. Balevičius. Calculation and investigation of vibrational and electronic absorption spectra of benzo-1,3-dioxole. P. 69.
K. Makariūnas , E. Makariūnienė. Explanation of absence of the decay rate decrease of 109Cd nuclei in CdS and CdTe . P. 73.
E. Makariūnienė, K. Makarūnas. Chemical changes of the probabilities of internal conversion on the electrons of inner shells in ions (Z=49) . P. 85.
S. Marcinkevičius , G. Ambrazevičius, G. Babonas, N. Korets. Absorption edge of CdP2 . P. 93.
S. Kačiulis, J. Paršėliūnas, S. Bochkarev, P. Šhiktorov. Negative magnetoresistance of hot electrons in n-GaAs at T= 300 K . P. 100.
A. Visackas, J. Meškauskas. Temperature dependence of the nonstationary oscillations of the magnetization vector in ferrite . P. 104.
A. Amulevičius, R. Davidonis, L. Šeikis. The investigation of contamination of vacuum-evaporated iron films by Mössbauer sectroscopy . P. 109
A. Amulevičius, R. Davidonis. An investigation of the distribution of magnetic moments in thin iron films . P. 114.
Chort communication. P. 115.
Cronicle. P. 118.
TURINYS
J. Grudzinskas, R. Karazija, S. Kučas. Apie intensyvių Ožė šuolių iš p5d konfigūracijų atomų, sužadintų fotonais, galimybę. P. 13.
L. M. Balevičius, D. R. Gimžauskaitė, V. Urba. CNDO metodo taikymas kamieno elektronų energijos priklausomybei nuo cheminio apsupimo skaičiuoti. P. 20.
L. Valkūnas. J. Viščakas, A. Zališčevskis. Magnetinio lauko įtaka Ožė rekombinacijai plačiajuosčiame puslaidininkyje. P. 27.
K. Makariūnas, G. Duškesas. Apie neutrinų energijų pokyčių įtaką elektronų pagavimo branduoliais tikimybių pokyčiams jonuose. P. 32.
J. Grigas, I. Začekas, V. Krasikovas, I. Kutnas, R. Levickis, V. Paprotnas. Izotopinis efektas RbHSO4 kristaluose. P. 44.
S. Žilionis, J. Ulbikas. Gano reiškinys epitaksiniuose AlxGa1-xAs sluoksniuose. P. 53.
K. Bertulis, D. Davidėnienė. CdTe sluoksnių kondensacijos ant neorientuojančių padėklų ypatumai. P. 58.
A. Paulavičius, V. Jasutis. AIIB2IIIC4VI tipo junginių sluoksnių kristalizacijos kinetika. P. 63.
A. Dargys, S. Žurauskas. Seklių priemaišų dinaminė tunelinė spektroskopija. P. 74.
A. Undzėnas, D. Jurevičius, L. Jelenskis. Karbazolinių puslaidininkių fluorescensinių savybių tyrimas. P. 83.
V. Balevičius, L. Kimtys. Skystųjų polinių ir nepolinių sistemų mišinių išsisluoksniavimo tyrimas BMR1H metodu. P. 89.
Kronika. P. 91.
1984 m. alfabetinė rodyklė. P. 94.
CONTENTS
J. Grudzinskas, R. Karazija, S. Kučas. On the possibility of the existence of the intensive auger transitions from photoexcited p5d configurations. P. 13.
L. M. Balevičius, D. R. Gimžauskaitė, V. Urba. The use of the CNDO method in the intensive in the calculation of the core-electron energy shift dependence on the chemical environment. P. 20.
L. Valkūnas. J. Viščakas, A. Zališčevskis. Influence of the magnetic field on auger recombination in wide band semiconductors. P. 27.
K. Makariūnas, G. Duškesas. On the question of an influence of the changes of neutrino energies on the changes of probabilities of electron capture by nuclei in ions. P. 32.
J. Grigas, I. Zachek, V. Krasikov, I. Kutny, R. Levitsky, W. Paprotny. The isotopic effect in RbHSO4 . P. 44.
S. Žilionis, J. Ulbikas. gunn effect in AlxGa1-xAs epitaxial layers. P. 53.
K. Bertulis, D. Davidėnienė. Some peculiarities of CdTe film condensation on the unorientied substrates. P. 58.
A. Paulavičius, V. Jasutis. Crystallization kinetics of AIIB2IIIC4VI typecomfound films. P. 63.
A. Dargys, S. Žurauskas. Shallow impurity transient tunneling spectroscopy. P. 74.
A. Undzėnas, D. Jurevičius, L. Elenskis. Fluorescence studies of carbazolylcontaining photoconductors. P. 83.
V. Balevičius, L. Kimtys. NMR1H study of the phase separation in polar and nonpolar binary liquid systems P. 89.
Cronicle. P. 91.
Alphabetical index. P. 94.