TURINYS
Karazija R., Rudzikaitė L. Ožė spektro ir jo sukininių dubletinių linijų grupių vidutinė energija 3
Bakanas R. Aronovo ir Bomo efektas vientisame bandinyje 15
Raguotis R., Tauras V., Repšas K. n tipo silicio laidumo magnrtiniame ir kaitinančiame elektriniame lauke tyrimas 21
Ašmontas S., Zacharenkovas L., Skučienė A. Manganu legiruoto InP elektinės savybės stipriuose SAD elektriniuose laukuose 27
Grivickas V., Noreika D., Amstibovskis V. Gyvavimo trukmės profilio goteruotose silicio plokštelėse įtaka krūvininkų koncentracijos gesinimui 33
Rinkevičius V., Kavaliauskienė G. Potencialo reljefo įtaka šiluma skatinamam laidumui 43
Leontjevas G., Armonavičius V. Dvipolių tranzistorių bazės srovės šiluminis triukšmas 49
Žilinskas R. A., Ivašauskas A. Metalinių kondensatų anizotropijos atsiradimo priežasčių ir jos ypatumų tyrimas 57
Novickis J., Tolutis R., Ebersonas T. Aksialiai simetrinių elektromagnetinių pluoštelių išsiskleidimo tyrimas puslaidininkių magnetoplazmoje (trumpas pranešimas) 67
Norvaišas E., Ališauskas S. Klasifikavimo operatorių matriciniai elementai grandinėlei SU(4)=)SU(2)XSU(2) (trumpas p)ranešimas) 69
Orliukas A., Fullbier G., Stegmann H., Mittag H., Kežionis A., Mikučionis V., Vaitkus R., Vaskela G. N-butilheksametilentetraminio polijodinio elektrinės savybės (trumpas pranešimas) 71
Mickevičius R., Reklaitis A. Tarpslėniniai procesai n GaAs (trumpas pranešimas) 74
Orliiukas A. Mikučionis V., Kežionis A. Aukselis S., Belovas O. I., Kundrotas P., Ališauskas A., Vaskela G. Na4TiP2O9 polikristalų elektrinės savybės 10-4*1010 Hz dažnių diapazone (trumpas pranešimas) 76
Kronika 79
CONTENTS
Karazija R., Rudzikaitė L. The mean energy of Auger spectrum and of its spin-doublet line groups 3
Bakanas R. Aharonov-Bohm effect in a sample of simply connected geometry 15
Raguotis R., Tauras V., Repšas K. Investigation of magnetoconductivity of n-Si in carrier heating electric fields 21
Ašmontas S., Zakharenkov L., Skučienė A. Electrical properties of Mn-doped InP in high microwave electric fields 27
Grivickas V., Noreika D., Amstibovskij V. The influence of lifetime profiles on the carrier concentration decay in gettered silicon wafers 33
Rinkevičius V., Kavaliauskienė G. Effect of potential fluctuations on thermally stimulated conductivity 43
Leontyev G., Armonavičius V. Thermal noise of base current in bipolar transistors 49
Žilinskas R.-A., Ivašauskas A. Investigation of anisotropic properties and its sources in metallic condensates 57
Novickij J., Tolutis R., Ebersonas T. The investigation of divergence of axial symmetric electromagnetic beams in semiconductor magnetoplasma (short communication) 67
Norvaišas E., Ališauskas S. Matrix elements of labeling operators for SU(4)=)SU(2)XSU(2) (short communication) 69
Orliukas A., Fullbier H., Stegmann H., Mittag H., Kežionis A., Mikučionis V., Vaitkus R., Vaskela G. Electrical properties of N-butylhexamethylentetramin polyiodide (short communication) 71
Mickevičius R., Reklaitis A. Intervalley processes in n-GaAs (short communication) 74
Orliukas A., Mikučionis V., Kežionis A., Aukselis S., Belov O., Kundrotas P., Ališauskas A., Vaskela G. Electrical properties of the polycrystaline Na4TiP2O9 in the frequence range 10-4*1010 Hz (short communication) 76
Cronicle 79
TURINYS
Kamuntavičius G. P. Mikroskopinių atomo branduolio modelių kilminiai koeficientai 135
Kancerevičius A., Kuzmickytė L. ns-mp šuolių iš atomų vidinių sluoksnių osciliatorių stiprumai 148
Bolotinas A., Bolyčiova E., Malychanovas J., Močalkinas V., Poltavecas V. Daugiafragmenčių jungtinių molekulių sužadintų būsenų kai kurie ypatumai 158
Ivaška V., Nikolajevas P., Pavilonis A., Šugurovas V. Difrakcija pro stačiakampio bangolaidžio nevienalytiškumus E plokštumoje 171
Martinėnas B. Generacijos pastovumas esant nevienalytiškai išplitusiai linijai 177
Karpenka B., Kuznecovas A., Falkovskaja L. Antiferomagnetinis puslaidininkis esantis stipriame elektriniame lauke 182
Bastys A., Bikbajevas V., Vaitkus J., Karpinskas S. Skirtingus potencialinio barjero aukščius turinčių sričių sąveikos įtaka nevienalyčio kontakto parametrams 191
Balevičius V., Maršalka A., Kimtys L. Magnetinio ekranavimo tenzoriaus anizotropijos pasireiškimas nematiniuose skystuosiuose kristaluose 199
Galkutė L., Pranevičius L. Matricos įtaka daugiakomponenčių paviršių nudulkėjimo kinetikai, veikiant jonais 203
Mykolaitis H., Palenskis V., Laučius J. Feromagnetiko permagnetinimo moduliavimo triukšmų analizė 211
Rudaitis V., Saščiuk A. Termogradientinio magnetokoncentracinio reiškinio tyrimas plačioje magnetinių laukų srityje 219
Viščakas J., Močalovas I., Michailovas A., Klevcova R., Liubimovas A. Kristalinė struktūra ir šviesos kombinacinė sklaida KGd(WO4)2 kristaluose 224
Vaitkus R., Ukšė E., Bukun N., Zubkus V., Ponomariovas V., Orliukas A. NASICON superjoninių kristalų elektrinės savybės 10-4*1010 Hz dažnių diapazone 236
Pipinys P., Pipinienė A., Vasilčenko V., Matizen L. Pagavimo centrų įtaka plėvelinių sandarų ZnS:Mn elektroliuminescencijai 246
Gefenas V., Kietienė V., Kriščiūnienė B. Skystų bei kietų bis-(4-dimetilaminoditiobenzil) nikelio (B-4DN) tirpalų tyrimas remiantis elektroniniais sugerties spektrais 254
Buteikis R., Našlėnas E. Apie nusistovėjusius plazminės aplinkos judęjimus išlydžiuose (trumpas pranešimas) 259
Vanagas V., Sabaliauskas L., Taurinskas M. Simetrinių ir unitarinių grupių dydžiai branduolio modeliams su apribota dinamika (trumpas pranešimas) 262
Kupliauskienė A. Ne2+, Ne3+ ir Ne4+ dvigubai sužadintos būsenos (trumpas pranešimas) 263
Kisielius R. Kupliauskienė A. Daugiakrūvių chloro jonų aukštos temperatūros plazmoje lygmenų užimtumų tyrimas (trumpas pranešimas) 265
Lietuvos fizikų draugijai 25 metai 267
Personalija 269
Kronika 271
CONTENTS
Kamuntavičius G. P. Coefficients of fractional parentage of microscopic atomic nucleus models 135
Kancerevičius A., Kuzmickytė L. Oscillator strengths of ns-mp transitions from inner shells of atoms 148
Bolotin A., Bolycheva E., Malykhanov Y., Mochalkin V., Poltavets V. Some singularities of the excited states of polyfragmented complex molecules 158
Ivaška V., Nikolayev P., Pavilonis A., Shugurov V. Diffraction by E-plane inhomogeneity in a rectangular waveguide 171
Martinėnas B. Stability of an oscillating maser with an inhomogeneously broadened line 177
Karpenko B., Kuznetsov I., Falkovskaya L. Antiferromagnetic semiconductor in strong electric field 182
Bastys A., Bikbayev V., Vaitkus J., Karpinskas S. Investigation of the influence of interaction between barriers of different heights on the parameters of inhomogeneotis contact 191
Balevičius V., Maršalka A., Kimtys L. Anisotropy of magnetic shielding tensor in nematic liguid crystals 199
Galkutė L., Pranevičius L. The influence of matrix on ion sputtering kinetics on multicomponent surfaces 203
Mykolaitis H., Palenskis V., Laučius J. Analysis of the modulation noise caused by the remagnetization of a ferromagnet 211
Rudaitis V., Sashcyuk A. investigation of the thermogradient magnetoconcentration effect in the wide range of the magnetic fields 219
Viščakas J., Mochalov I., Mikhailov A., Klevtsova R., Liubimov A. Crystal structure and Raman scattering in KGd(WO4)2 crystals 224
Vaitkus R., Ukšė E., Bukun N., Zubkus V., Ponomaryov V., Orliukas A. Electrical properties of NASICON superionic conductor in frequency region 10-4*1010 Hz 236
Pipinys P., Pipinienė A., Vasilchenko V., Matisen L. A. Role of deep centers on the electroluminescence of ZnS:Mn thin films 246
Gefenas V., Kietienė V., Kriščiūnienė B. Investigation of liquid and solid solutions of bis-(4-dimethylaminodithiobenzyl) nickel (B-4DN) by uv-vis spectra 254
Buteikis R., Našlėnas E. On the steady motions of plasma's medium in discharges (short communication) 259
Vanagas V., Sabaliauskas L., Taurinskas M. Quantities of the symmetric and unitary groups for the nuclear models within the restricted dynamics (short communication) 262
Kupliauskienė A. Doubly excited states of Ne2+, Ne3+ and Ne4+ (short communication) 263
Kisielius R., Kupliausienė A. The investigation of the level populations of the highly ionized ions of chlorine in high temperature plasmas (short communication) 265
Personalia 269
Cronicle 271
TURINYS
Katkevičius O., Vanagas V. Kai kurios E2 šuolių savybės naudojant mikroskopinį kolektyvinį branduolio modelį 279
Karazija R., Rudzikaitė L. Hamiltoniano ir šuolių operatorių matricinių elementų sumavimas. Emisijos spektro dispersija 294
Vaitiekūnas P., Savukynas A. Tamprioji elektronų sklaida branduoliais didelio dažnio lazeriniame apskritiminės poliarizacijos lauke 308
Belazaras A., Našlėnas E. Mažos energijos jonų sukelto metalų dulkėjimo koeficientų skaičiavimas atsitiktinių susidūrimų metodu 317
Kancleris Ž., Matulis A. Krūvininkų judrumo poliniuose puslaidininkiuose skaičiavimas Monte Karlo metodu 323
Kaladė J., Montrimas E., Sakalauskas S. Talpinio keitiklio elektrode indukuoto krūvio priklausomybė nuo keitiklio geometrijos 330
Požela J., Alekna J. Poliarizuotos dalelės judėjimas skystajame dielektrike, veikiant nevienalyčiam kintamajam elektriniam laukui 339
Lisauskas V., Tolutis V., Jasutis V. Ga-Te sistemos sluoksnių susidarymo priklausomybė nuo garų fazės sudėties 346
Brazis R., Pipinys P., Rimeika A., Lapeika V. Al/n-GaP diodų voltamperinės charakteristikos ir elektroliuminescencija veikiant atgalinei įtampai 351
Kniševskaja L., Šugurovas V. Atviro apskritojo išilgai įmagnetinto sluoksninio girotropinio dielektrinio bangolaidžio teorinis tyrimas 358
Braveris I., Makarovas S., Šulika S. Kvadratinio bangolaidinio poliarizatoriaus su dielektrine plokštele dažninio fazės poslinkio netolygumo minimizacija 364
Laurinavičius A., Malakauskas P., Požela K. Elektromagnetinių bangų spinduliavimas iš stačiakampio bangolaidžio su girotropine puslaidininkine sienele 369
Ivaška V., Žilinskas M., Jakštas A., Gurevičius G. Magnetine galvute atkuriamo periodinio signalo analizė 375
Tamulevičius S., Pranevičius L., Matiukas A. Silicio oksido joninis nudulkėjimas 384
Balčaitis G., Galkutė L., Zubauskas G., Pranevičius L. Antrinių atomų išlėkimo gylis, esant pakopiniam nudulkėjimui 391
Kaulakys B. Energijos mainai netampriai susiduriant molekulėms su Rydbergo atomais (trumpas pranešimas) 396
Juška G., Jukonis G.,TamašiūnasR., Petrauskas M. Skylių prilipimo kinetika stipriuose elektriniuose laukuose amorfiniame selene (trumpas pranešimas) 398
Namajūnas A., Tamaševičius A. Chaotinių sistemų laisvės laipsnių skaičiaus nustatymas analoginiu elektroniniu įtaisu (trumpas pranešimas) 401
Kronika 404
CONTENTS
Katkevičius O., Vanagas V. Some features of E2 transitions in the microscopic collective nuclear model 279
Karazija R., Rudzikaitė L. The summation of the matrix elements of Hamiltonian and transition operators. The variance of the emission spectrum 294
Vaitiekūnas P., Savukynas A. Elastic electron-nuclear scattering in a high-frequency circularly polarized laser radiation field 308
Belazaras A., Našlėnas E. Calculation of sputtering yields for metals bombarded with low-energy ions in random collision aproximation 317
Kancleris Ž., Matulis A. Monte Carlo method for mobility calculation in polar semiconductors 323
Kaladė J., Montrimas E., Sakalauskas S. Influence of geometrical factors on the dependence of the induced charge in the capacitive transducer electrode 330
Požela J., Alekna J. Motion of polarized particles in liquid dielectric under the action inhomogeneous a. c. electric field 339
Lisauskas V., Tolutis V., Jasutis V. The dependence of Ga-Te film formation process on the vapour phase composition 346
Brazis R., Pipinys P., Rimeika A., Lipeika V. Current-voltage characteristics and electroluminescence of Al/n-GaP diodes 351
Knishevskaya L., Shugurov V. Theoretical analysis of the circular longitudinally magnetized layered gyrotropic-dielectric waveguide 358
Braver I., Makarov S., Shulika S. Minimization of the flatness of the frequency response of phase shift in a square waveguide containing dielectric plate 364
Laurinavičius A., Malakauskas P., Požela K. Electromagnetic wave radiation through the gyrotropic semiconductor wall of a rectangular waveguide 369
Ivaška V., Žilinskas M., Jakštas A., Gurevičius G. Analysis of the reproduction process of the periodical signal by a magnetic head 375
Tamulevičius S., Pranevičius L., Matiukas A. Ion sputtering of silicon oxide 384
Balčaitis G., Galkutė L., Zubauskas G., Pranevičius L. Depth of origin of secondary atoms in cascade sputtering 391
Kaulakys B. Energy exchange in Rydberg-molecule inelastic collisions (short communication) 396
Juška G., Jukonis G., Tamašiūnas R., Petrauskas M. Hole-trapping kinetics in strong electric fields in amorphous selenium (short communication) 398
Namajūnas A., Tamaševičius A. Determining the number of degrees of freedom in chaotic systems by means of analog electronic instrument (short communication) 401
Cronicle 404
TURINYS
Petrauskas A., Bondarenka V., Jankauskas K. Elektromagnetinių ir b šuolių operatorių matricinių elementų nagrinėjimas, naudojant Vignerio schemą 415
Šugurovas V., Šugurovas V. Apie pn sandūros talpos skaičiavimą 427
Bučinskas J., Šugurovas V. Elektromagnetinių bangų sklaida baigtinio skaičiaus rutuliais 432
Braveris I., Šulika S. H bangų sklidimo konstantos bangolaidyje su įpjovomis 438
Dementjevas A., Domarkienė D. Netiesinių aberacijų įtaka fokusuotųjų lazerio spindulių pluoštų erdviniam-laikiniam intensyvumo pasiskirstymui 445
Vaitkus J., Maldutis E., Stonys S., Širmulis E., Jarašiūnas K. InSb lūžio rodiklio netiesiškumas, esant dvikvančiam sužadinimui 452
Lipavičius J., Čijauskas E., Audzijonis A. Sn2P2S6 rnonokristalų sugerties krašto tyrimas 460
Mikučionis V., Orliukas A., Kučys E., Jefimovas A., Mozgova N., Balickaja O. Stefanito kristalų elektrinių savybių ypatumai 465
Lideikis T., Petraitienė A., Šimkienė I., Treideris G. Naudojant metalorganinius junginius, dujinės epitaksijos būdu išaugintų legiruotų GaAs supergardelių savybės 473
Gružinskis V., Mykolaitis G., Reklaitis A. Gano reiškinys submikroninėse GaAs sandarose 478
Skrickis V., Samulionis V., Jaruničevas V. Apie fotoindukuotas anomalijas prustito šeimos kristaluose 482
Grigas J., Začekas I., Zaiceva N., Levickis R., Mizeris R., Micas E. Segnetoelektrinė dispersija CsD2PO4 kristaluose 486
Grigonis A., Bernotas G., Aulas A. Joninio bei elektroninio apšaudymo įtaka galio arsenido plazmocheminiam ėsdinimui 499
Binkis R., Sakalas A., Skorobogatas G. Elektronais skatintos desorbcijos iš GaAs savųjų oksidų paviršiaus atomų tyrimas 505
Kavaliauskienė G., Rinkevičius V., Kavaliauskas R., Stankevičius E. Būsenų tankio pasiskirstymas amorfiniuose a-Si:H sluoksniuose, nustatytas iš termiškai skatinto laidumo tyrimų 511
Gaižauskas E., Piskarskas A, Stabinis A., Staliūnas K. Femtosekundinių šviesos impulsų generacijos sinchroniškai kaupinamuose PŠG teorinis tyrimas (trumpas pranešimas) 516
Purlys R., Ališauskas A., Petrovas E., Stasiūnas S., Širvaitis A., Lisauskienė N. Sprogimo būdu pagamintų deimanto tipo miltelių struktūra (trumpas pranešimas) 519
Dargys A. Puslaidininkių, tarpvalentinės absorbcijos skaičiavimas Monte Karlo metodu (trumpas pranešimas) 522
Ališauskas S. Apie biortogonalius ir ortonormuotus SU(3) grupės Klebšo ir Gordano koeficientus: analiziniai ir algebriniai požiūriai (trumpas pranešimas) 525
Grabauskas D., Grudzinskas J. Ba+ jonų autojonizacijos elektronų energijos spektras (trumpas pranešimas) 529
Kronika 531
CONTENTS
Petrauskas A., Bondarenko V., Jankauskas N. Investigation of the matrix elements of the operators for the electromagnetic and b-decay in the Wigner approximation 415
Shugurov V., Shugurov V. On p-n junction capacitance 427
Bučinskas J., Shugurov V. Electromagnetic wave diffraction by a finite set of spheres 432
Braver I., Shulika S. The mode propagation constants in a grooved waveguide 438
Dementiev A., Domarkienė D. Influence of nonlinear aberration on the time-space intensity distribution of focused laser beams 445
Vaitkus J., Maldutis E., Stonys S., Širmulis E., Jarašiūnas K. Nonlinearity of refraction in InSb at two-photon excitation 452
Lipavičius J., Čijauskas E., Audzijonis A. The fundamental absorption edge tail of Sn2P2S6 460
Mikučionis V., Orliukas A., Kučys E., Efimov A., Mozgova N., Balitskaya O. Peculiarities of the electric properties of stephanyte crystals 465
Lideikis T., Petraitienė A., Šimkienė I., Treideris G. Properties of GaAs doping superlattices grown by MOCVD 473
Gružinskis V., Mykolaitis G., Reklaitis A. Gunn effect in submicron GaAs structures 478
Skritskii V., Samulionis V., Yarunichev V. On photoinduced anomalies in crystals of proustite family 482
Grigas J., Zachek I., Zaitseva N., Levitsky R., Mizeris R., Mits E. Ferroelectric dispersion of CsD2PO4 crystals 486
Grigonis A., Bernotas G., Aulas A. Reactive ion beam etching of GaAs 499
Binkis R., Sakalas A., Skorobogatas G. A study of electron-stimulated desorption from the surface of GaAs native oxides 505
Kavaliauskienė G., Rinkevičius V., Kavaliauskas R., Stankevičius E. Distribution of gap state density in a-Si:H using thermally stimulated conductivity 511
Gaižauskas E., Piskarskas A., Stabinis A., Staliūnas K. Theoretical investigation of femtosecond light pulses generation by sinchronically pumped PLG (short communication) 516
Purlys R., Ališauskas A., Petrov E., Stasiūnas S., Širvaitis A., Lisauskienė N. The structure of diamond-type powder received by explosion (short communication) 519
Dargys A. Calculation of intervalence absorption by Monte Carlo technique (short communication) 522
Ališauskas S. On biorthogonal and orthonormal Clebsch-Gordan coefficients of SU(3): analytical and algebraic approaches (short communication) 525
Grabauskas D., Grudzinskas J. The energy spectrum of the Ba+ autoionization electrons (short communication) 529
Cronicle 531
TURINYS
Tetervovas A. Netiesinės bangos kvantine supergardele pasižyminčiuose puslaidininkiuose 539
Ivaška V., Pavilonis A., Šugurovas V. Bangolaidinių cirkuliatorių H plokštumoje skaičiavimas 554
Dagys R., Babonas G., Pukinskas G. Faradėjaus sukimas g-Ln2S3 kristaluose 559
Bumelienė S., Lasienė G., Pyragas K., Čenys A. Triukšmų įtaka keistųjų atraktorių dimensijai 569
Balakauskas S., Liutovič K., Kavaliauskas A., Pavasaris Č., Šilėnas A., Šimulytė E. Dideliu sudėties gradientu pasižyminčių varizoninių SixGe1-x ir AlxGa1-xAs sluoksnių pn sandūrų elektrinės charakteristikos 576
Repšas K., Tauras V. Holo evj ir magnetovaržos evj inertiškumas puslaidininkiuose, kai jie yra silpnuose SAD elektromagnetiniuose laukuose 584
Kancleris Ž., Martūnas Z., Šetkus A., Treideris G. Holo reiškinio ir elektrinio laidumo tyrimas puslaidininkyje, esančiame silpnai kaitinančiame elektriniame ir statmename magnetiname lauke 590
Montrimas E., Sakalauskas S., Vaišnoras G. Dielektriko ir puslaidininkio sandarų paviršinių juostų išlinkio matavimas 597
Bartkus R., Gaidelis V., Laurinavičius L. Elektrografinės plėvelėss elektrai laidaus sluoksnio įtaka mikrovaizdo parametrams 602
Binkis R., Sakalas A., Skorobogatas H. InP natūraliųjų oksidų paviršiaus elementinės sudėties kitimas apšvitinant jį elektronais 610
Gaivenis R., Domarkas A., Paškauskas J. Rimeika R., Čiplys D. Akustooptinės sąveikos tyrimas ličio niobato paviršiuje integraliniu optiniu Macho ir Cenderio interferometru 615
Aleksa V., Urba V. Rezonansinės kombinacinės sklaidos spektroskopinio metodo naudojimas binarinėms molekulinėms sistemoms tirti 624
Balevičius V., Šablinskas V., Kimtys L. Netvarka molekuliniuose kristaluose remiantis žemadažnės kombinacinės sklaidos spektroskopijos duomenimis 630
Gaižauskas E., Piskarskas A., Staliūnas K. Apie galimybę generuoti femtosekundinius šviesos impulsus sinchroniškai kaupinamuose parametriniuose šviesos generatoriuose 637
Amstibovskis V., Vaitkus J., Gaubas E. , Kaniava A., Rudaitis A. Mažos energijos lazerinio atkaitinimo įtaka rekombinacijos centrų transformacijai silicyje 644
Glembockis J. Statistinis Tomo, Fermio ir Dirako modelis atsižvelgiant į koreliaciją (trumpas pranešimas) 656
Nekrologas 658
Kronika 660
CONTENTS
Tetervov A. P. Nonlinear waves in the semiconductors with the quantum superlattices 539
Ivaška V., Pavilonis A., Shugurov V. The calculation of a waveguide circulator in H-plane 554
Dagys R., Babonas G., Pukinskas G. Faraday rotation in g-Ln2S3 crystals 559
Bumelienė S., Lasienė G., Pyragas K., Čenys A. Influence of the noise strange attractor dimension 569
Balakauskas S., Lutovich K., Kavaliauskas A., Pavasaris Č., Šilėnas A., Šimulytė E. Electric characteristics of p-n junctions in the graded-gap SixGe1-x and AlxGa1-xAs layers with large composition gradient 576
Repšas K., Tauras V. Inertia of Hall e.m.f. and magnetoresistance e.m.f. in semiconductors subjected to weak mw fields 584
Kancleris Ž., Martūnas Z., Setkus A., Treideris G. Investigation of the Hall effect and conductivity in weakly heating electric and transverse magnetic fields 590
Montrimas E., Sakalauskas S., Vaišnoras G. Determination of surface band bending in dielectric-semiconductor structures 597
Bartkus R., Gaidelis V., Laurinavičius L. Influence of resistivity of the electroconducting layer of electrophotographic film on the microimage characteristics 602
Binkis R., Sakalas A., Skorobogatas G. Changes in the InP native oxide elemental composition after electron-beam irradiation 610
Gaivenis R., Domarkas A., Paškauskas J., Rimeika R., Čiplys D. Investigation of acoustooptic interaction on lithium niobate surface by integrated optic Mach-Zehnder interferometer 615
Aleksa V., Urba V. The application of RR spectroscopy method for investigation of binar molecular systems 624
Balevičius V., Šablinskas V., Kimtys L. Disorder in molecular crystals studied by low-frequency Raman spectroscopy 630
Gaižauskas E., Piskarskas A., Staliūnas K. On a possibility of femtosecond light pulse generation in synchronously pumped parametric light oscillator 637
Amstibovsky V., Vaitkus J., Gaubas E., Kaniava A., Rudaitis A. Influence of low energy laser annealing on the transform dynamics of the recombination centers in silicon 644
Glembocky I. I. Statistical model of Thomas-Fermi-Dirac atom with correlations included (short communication) 656
Obituary 658
Cronicle 660
TURINYS
Gontis V., Kaulakys B. Periodiškai trikdomų vieno laisvės laipsnio sistemų dinamikos kvaziklasikiniai atvaizdai. Atomas mikrobangų lauke 671
Mykolaitienė N., Audzijonis A., Batarūnas J., Žičkus K. V-VI-VII tipo kristalų gardelės dinamika anharmoniniu artutinumu. Elektroninių adiabatinių potencialų skaičiavimas 679
Bareikis V., Barkauskas R., Katilius R. Dvipolės difuzijos pilnutinio koeficiento priklausomybė nuo elektrinio lauko puslaidininkiuose 686
Raguotis R., Repšas K., Selmistraitis G. Elektronų ir skylių sąveikos įtakos elektronų kaitimui modeliavimas Monte Karlo metodu p-InSb kristale 693
Kaulakys J. Elektroninio sužadinimo energijos nuvertėjimas optiškai skaidrėjant dažalų tirpalams 696
Zubkus V., Vlasova A., Tornau E. Kietųjų paviršių rekonstrukcija chemisorbcijos metu 702
Šegžda D., Batarūnas J., Lazauskas V., Sakalas A. GaAs izovalentinių priemaišų molekulinis klasterio modelis 711
Dapkus L., Lideikis T., Noreika V. Įvairialyčių n-PbTe - p-Pb1-xSnxTe sandūrų, sudarytų ant KCl kristalų skystinės epitaksijos metodu, fotoelektrinių atsakų spektrų tyrimas 716
Kudinovas V., Pėka H., Smoliaras A., Šilėnas A., Šimulytė E. llgų diodų su varizonine AlxGa1-xAs bazės jautrio slėgiui tyrimas 722
Lisauskas V., Šeremetas G., Šiktorovas N., Jasutis V. Ge1-xTex lydinių fazinė sudėtis ir virpesių spektrai 730
Pincevičius A., Papirtytė L., Pėstininkas T., Matukas J. Aktyviųjų priemaišų pasiskirstymo įtaka galio arsenido Šotkio diodų voltamperinėms charakteristikoms sąlyčio srityje 737
Vaitkus J., Storasta J., Pincevičius A., Petrauskas M., Kažukauskas V. Giliųjų centrų parametrų radimas remiantis fotolaidumo relaksacija didelės varžos galio arsenide, sužadinus jį lazeriu 744
Guoba L., Sakalas A., Petrauskas G., Zubauskas G. Joninio švitinimo įtaka difuziniams vyksmams AuGe-GaAs sandarose 752
Aukselis S., Bajars G., Pitre K., Lūsis A., Vaitkus R., Orliukas A., Mizeris R. HUO2PO4*4H2O (HUP) polikristalų elektrinės savybės 107-7,2*1010 Hz dažnių diapazone 757
Kuprionis Z., Švedas V. Superspinduliavimo kaskado natrio atomuose tyrimas 763
Maldutis E., Sakalauskas S. Lazerio spindulių intensyvumo pasiskirstymo įtaka elektrostrikcinio lūžio rodiklio pokyčio kinetikai 772
Karazija R. Apie atominių dydžių priklausomybę nuo sukinio, kvazisukinio ir izosukinio kvantinių skaičių (trumpas pranešimas) 716
Kunigėlis V., Samulionis V., Skrickis V., Šatkovskis E. Ultragarso greičio superlaidžioje Y1,2Ba0,8CuO4-d keramikoje temperatūrinė priklausomybė (trumpas pranešimas) 778
Mauza E., Špakauskas V. Bendrojo pavidalo dvidalelinio operatoriaus išraiškos kvazisukinio erdvėje konfigūracijų (l1+l2)N maišymo atveju (trumpas pranešimas) 780
1988 m. alfabetinė rodyklė 783
CONTENTS
Gontis V., Kaulakys B. The quasiclassical maps for the one-dimensional systems with periodic perturbation. An atom in microwave radiation 671
Mykolaitienė N., Audzijonis A., Batarūnas J., Žičkus K. The anharmonic approximation to the lattice dynamics of V-VI-VII crystals. Electronic adiabatic potential calculation 679
Bareikis V., Barkauskas R., Katilius R. Field-dependence of the total coefficient of ambipolar diffusion in the semiconductors 686
Raguotis R., Repšas K., Selmistraitis G. Calculation of the electron-hole interaction influence on electron heating in p-InSb by the Monte Carlo method 693
Kaulakys J. Investigation of degradation of the electronic excitation energy in saturation of absorption in solutions of dyes 696
Zubkus V., Vlasova A., Tornau E. The theory of chemisorption induced reconstruction of solid surfaces 702
Šegžda D., Batarūnas J., Lazauskas V., Sakalas A. Molecular cluster model for investigation of isovalent-impurity states in GaAs 711
Dapkus L., Lideikis T., Noreika V. A study of the spectral response of the n-PbTe - p-Pb1-xSnxTe heterostructures grown by liquid phase epitaxy on KCl substrates 716
Kudinov V., Pėka H., Smolyar A., Šilėnas A., Šimulytė E. Investigation of pressure sensitivity of diodes with long graded-gap AlxGa1-xAs base 722
Lisauskas V., Sheremet G., Shiktorov N., Jasutis V. Phase composition and vibratory spectra of the Ga1-xTex alloys 730
Pincevičius A., Papirtytė L., Pėstininkas T., Matukas J. The influence of active impurity distribution in the contact region on the current-voltage characteristics of GaAs Shottky diodes 737
Vaitkus J., Storasta J., Pincevičius A., Petrauskas M., Kažukauskas V. Determination of the parameters of the deep levels in semi-insulating GaAs by relaxation of the photoconductivity at pulse laser excitation 744
Guoba L., Sakalas A., Petrauskas G., Zubauskas G . The influence of ion bombardment on the interdiffusion process in AuGe-GaAs structures 752
Aukselis S., Bajars G., Pitre K., Lusis A., Vaitkus R., Orliukas A., Mizeris R. Electric properties of HUO2PO4*4H2O (HUP) in the frequency range of 107-7.2*1010 Hz 757
Kuprionis Z., Švedas V. Investigation of superradiant cascade in sodium atoms 763
Maldutis E., Sakalauskas S. Laser beam intensity distribution influence on the kinetics of electrostrictive Dn 772
Karazija R. On the dependence of atomic quantities on the spin, isospin and quasispin quantum numbers (short communication) 776
Kunigėlis B., Samulionis V., Skritskii V., Shatkovskii E. Temperature dependence of ultrasound velocity in the superconductivity ceramic Y1.2Ba0.8CuO4-d (short communication) 778
Mauza E., Špakauskas V. Decomposition of the general two-particle operator in the quasispin space for mixed configurations (l1+l2)N (short communication) 780
Alphabetical index 783