TURINYS
Matematinė fizika
A.A. Jucys. Generuojančiosios funkcijos, Schensted'o algoritmas ir kėlinių intensyvumai. P. 3.
Branduolio fizika
R. Kalinauskas. Kolektyvinės energijos apibrėžimas mikroskopinėje branduolio teorijoje. P. 7.
A. Deveikis, G. Kamuntavičius. Atomo branduolio sluoksnių modelio kilminiai koeficientai. P. 14.
Atomai ir molekulės
M. Balevičius, E. Stumbrys, B. Sorokolit, A. Gruodis. Dimetilaminobenzilideno 1,3-indandiono (DMABI) elektroninio sugerties spektro teoriniai tyrimai pusempiriais kvantinės chemijos metodais. P. 20.
Elektrodinamika ir bangavimas
I. Burneika, L. Kniševskaja, O. Smertin, V. Šugurovas. Atvirųjų bangolaidžių, naudojamų mikrobanginio diapazono bangolaidinės technikos elektriniu bei magnetiniu laukais valdomuose prietaisuose, skaitmeninė analizė. P. 27.
Netiesinė optika ir spektroskopija
R. Rotomskis, J. Rotomskienė, T.J. Aartsma, A.J. Hoff, G. Varanavičienė. Spektrinės fotoprodukto, susidariusio švitinant hematoporfirino ir hematoporfirino darinių vandeninius tirpalus, savybės. P. 35.
Feroelektrikai ir superlaidininkai
G. Grigėnaitė, B. Vengalis, V. Jasutis, L. Rutavičienė. Kaitinimo įtaka lydalo kristalizacijos būdu pagamintų storų tekstūruotų BiSrCaCuO plėvelių savybėms. P. 41.
G.-J. Babonas, J. Bremer, O. Hunderi, E. Wold. Laisvųjų krūvininkų sistemos aukštatemperatūriuose superlaidininkuose aprašymas pseudodielektrine funkcija. P. 46.
Puslaidininkiai
J. Požela, V. Jucienė. Elektronų sklaida dvimatėje kvantinėje duobėje, perskirtoje fononine sienele. P. 53.
J. Kavaliauskas, G. Krivaitė, A. Šileika. GaAs/Al0.3Ga0.7As legiruotų kvantinių duobių apibūdinimas fotoatspindžio metodu. P. 59.
A. Matulionis, T. Smertina. Karštųjų elektronų rezonansinė sklaida ir fliuktuacijos GaAs: Monte Carlo tyrimai. P. 64.
V. Bondarenka, S. Grebinskij, S. Mickevičius, V.L. Volkov, G.S. Zakharova. Perjungimas plonuose vanadžio pentoksido kserogelių sluoksniuose. P. 72.
Trumpi pranešimai
R. Dagys, G.-J. Babonas. Kintamas vario valentingumas vario oksido superlaidininkuose? P. 76.
CONTENTS
Mathematical physics
A.A. Jucys. Generating functions, Schensted algorithm, and quater indices of permutations. P. 3.
Nuclear physics
R. Kalinauskas. On the definition of the collective energy in the microscopic nuclear theory. P. 7.
A. Deveikis and G. Kamuntavičius. Coefficients of fractional parentage for nuclear shell model. P. 14.
Atoms and molecules
M. Balevičius, E. Stumbrys, B. Sorokolit, and A. Gruodis. Theoretical studies of electronic absorption spectra of dimethylaminobenzylidene 1,3-indandione (DMABI) by means of semiempirical quantum chemical calculations. P. 20.
Electrodynamics and wave processes
I. Burneika, L. Knishevskaya, O. Smertin, and V. Shugurov. Numerical investigation of open waveguides used in electro- and magneto-controlled microwave devices. P. 27.
Nonlinear optics and spectroscopy
R. Rotomskis, J. Rotomskienė, T.J. Aartsma, A.J. Hoff, and G. Varanavičienė. Spectroscopic features of the photoproduct formed by illumination of aqueous Hp and HpD. P. 35.
Ferroelectrics and superconductors
G. Grigėnaitė, B. Vengalis, V. Jasutis, and L. Rutavičienė. Investigation of annealing effects in highly textured melt-processed Bi-Sr-Ca-Cu-O thick films. P. 41.
G.-J. Babonas, J. Bremer, O. Hunderi, and E. Wold. Characterization of free charge carrier system in high-Tc superconductors by a pseudodielectric function. P. 46.
Semiconductors
J. Požela and V. Jucienė. Electron scattering in two-dimensional quantum well with phonon wall. P. 53.
J. Kavaliauskas, G. Krivaitė, and A. Šileika. Characterization of doped GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well structures by photoreflectance. P. 59.
A. Matulionis and T. Smertina. Resonant impurity scattering and fluctuations of hot electrons in GaAs: a Monte Carlo study. P. 64.
V. Bondarenka, S. Grebinskij, S. Mickevičius, V.L. Volkov, and G.S. Zakharova. Switching in layered vanadium pentaoxide xerogels. P. 72.
Short communications
R. Dagys and G.-J. Babonas. Unstable valence of copper in copper-oxide superconductors? P. 76.
TURINYS
Įžanga. P. 83.
B.R. Judd. Kvarkų modelio atominiams sluoksniams apžvalga ir įvertinimas. P. 85.
R. Dagys, A. Kancerevičius. Neutraliųjų atomų modelis ir elektroniniai sužadinimai pereinamųjų metalų ir retųjų žemių elementų junginiuose. P. 91.
J. Migdalek. Efektyviniai modeliniai potencialai, panaudojant kamieno suderintinio lauko potencialą. P. 99.
A. Kupliauskienė. Neortogonaliųjų radialiųjų orbitalių panaudojimas atomams. P. 113.
B.G. Wybourne. Ypatingosios Li grupės fizikoje. P. 123.
E.J. Knystautas. Jonų pluoštelių spektroskopijos indėlis į atomo struktūros tyrimus. P. 133.
C. Froese Fischer, P. Jönsson, M. Godefroid, J. Olsen. Lengvųjų atomų atominių savybių tikslūs skaičiavimai. P. 145.
R. Karazija, S. Kučas. Atominių dydžių sumavimas pagal visus daugiaelektronius kvantinius skaičius. P. 155.
J. Jurkowski, J. Karwowski. Murnaghan'o ir Nakayama taisyklės panaudojimas Heisenberg'o hamiltoniano statistinėje spektroskopijoje. P. 171.
CONTENTS
Introduction. P. 83.
B.R. Judd. The quark model of atomic shells surveyed and assessed. P. 85.
R. Dagys and A. Kancerevičius. The neutral atom model and electronic excitations in transition metal and rare earth compounds. P. 91.
J. Migdalek. Effective model potentials employing the SCF core potentials. P. 99.
A. Kupliauskienė. Application of nonorthogonal radial orbitals to atoms. P. 113.
B.G. Wybourne. Exceptional Lie groups in physics. P. 123.
E.J. Knystautas. The contribution of ion-beam spectroscopy to the study of atomic structure. P. 133.
C. Froese Fischer, P. Jönsson, M. Godefroid, and J. Olsen. Accurate MCHF calculations for atomic properties of light atoms. P. 145.
R. Karazija and S. Kučas. Summation of atomic quantities over all many-electron quantum numbers. P. 155.
J. Jurkowski and J. Karwowski. An application of the Murnaghan-Nakayama rule in statistical spectroscopy of the Heisenberg Hamiltonian. P. 171.
TURINYS
Atomai ir molekulės
Š. Kudžmauskas, G. Vektaris. Krūvininkų fotogeneracijos kvazivienmačiuose dariniuose teorija. P. 183.
L.M. Balevičius, E. Stumbrys. Pusempirių suderintinio lauko metodų taikymo galimybės Si2 molekulės elektroninėms būsenoms tirti. P. 190.
Feroelektrikai ir superlaidininkai
K. Repšas, A.-R. Vaškevičius, A. Laurinavičius, A. Deksnys, and F. Anisimovas. Karštieji krūvininkai granuliuotose YBa2Cu3 O7-d ir Bi2Sr2CaCu2Oy plėvelėse. P. 195.
A. Kežionis, A. Orliukas, V. Samulionis W. Jakubowski, W. Bogusz, B. Wnętrzewski. Elektrinės ir mechaninės xAgI(1-x)AgPO3 (x=0.55-0.75) stiklų savybės. P. 202.
Puslaidininkiai
N. Žurauskienė, A. Dargys, S.Žurauskas. Į puslaidininkį patalpinto dvilygmenio atomo jonizacija elektriniu lauku. P. 206.
A. Rėza, D. Senulienė. Elektrinio lauko pasiskirstymo ir elektrooptinio reiškinio tyrimai Bi12SiO20. P. 216.
E. Shatkovskis, J. Vercinski, I. Šimkienė. Akytojo silicio fotolaidumas ir fotomagnetoelektrinis reiškinys veikiant stipriam optiniam žadinimui. P. 222.
A. Lazutka, A. Šilėnas. Apauginto AlGaAs/GaAs mezadarinio lazerinių diodų gamybos technologija ir tyrimas. P. 228.
K. Požela. Elektronų sklaidos optiniais fononais sparta kvantinėje duobėje su elektronų ir fononų sienelėmis. P. 234.
R. Bakanas. Gunn'o bangų trikdžių teorija. P. 239.
K. Grigoras, A. Krotkus, V. Jasutis, D. Senulienė, V. Pačebutas, J. Nijs, J. Szlufcik. Saulės elementų praskaidrinančios dangos, pagamintos iš akytojo silicio. P. 247.
Trumpi pranešimai
A. Šurkus, S. Turskienė. Dviatomių molekulių potencialinių funkcijų, apskaičiuotų remiantis spektroskopiniais duomenimis, tikslumas. P. 254.
CONTENTS
Atoms and molecules
Š. Kudžmauskas and G. Vektaris. Theory of charge photogeneration in quasione-dimensional structures. P. 183.
L.M. Balevičius and E. Stumbrys. On the suitability of semiempirical self-consistent-field methods for investigation of the electronic states of Si2 molecule. P. 190.
Ferroelectrics and superconductors
K. Repšas, A.-R. Vaškevičius, A. Laurinavičius, A. Deksnys, and F. Anisimovas. Hot charge carriers in granular YBa2Cu3 O7-d and Bi2Sr2CaCu2Oy films. P. 195.
A. Kežionis, A. Orliukas, V. Samulionis W. Jakubowski, W. Bogusz, and B. Wnętrzewski. Electrical and ultrasonic properties of xAgI(1-x)AgPO3 (x=0.55-0.75) glasses. P. 202.
Semiconductors
N. Žurauskienė, A. Dargys, and S.Žurauskas. Field ionization of two-level atoms in semiconductors. P. 206.
A. Rėza and D. Senulienė. Investigation of the electric field spatial distribution and electrooptic effect in Bi12SiO20. P. 216.
E. Shatkovskis, J. Vercinski, and I. Šimkienė. Photoconductivity and photomagnetoelectric effect in porous silicon under intense optical excitation. P. 222.
A. Lazutka and A. Šilėnas. Fabrication and investigation of buried-heterostructure AlGaAs/GaAs laser diodes. P. 228.
K. Požela. Elektron-optical phonon scattering rate in a quantum well with electron and phonon walls. P. 234.
R. Bakanas. Perturbation theory of Gunn waves. P. 239.
K. Grigoras, A. Krotkus, V. Jasutis, D. Senulienė, V. Pačebutas, J. Nijs, and J. Szlufcik. Antireflection coating of solar cells by a porous silicon layer. P. 247.
Short communications
A. Šurkus and S. Turskienė. Accuracy of two-atom molecular potential functions calculated from upon spectroscopic data. P. 254.
TURINYS
Atomai ir molekulės
A. Kancerevičius. nl N - nl N- k n' l' k sužadinimų vaidmuo, skaičiuojant atomų koreliaciją. P. 263.
Netiesinė optika ir spektroskopija
J.V. Gražulevičius. Poli(3,6-dibromkarbazoliloksiranų) tripletinės būsenos savybės. P. 271.
J.V. Gražulevičius, A. Undzėnas. Fotofizikinės polikarbazoliloksiranų plonų plėvelių savybės. P. 277.
S. Martusevičius, Z. Talaikytė, V. Razumas. Hemo, mikroperoksidazių ir citochromo c, adsorbuotų ant vario elektrodo, paviršiaus sustiprintos rezonansinės Ramano sklaidos spektrai. P. 285.
Feroelektrikai ir superlaidininkai
S. Balevičius, F. Anisimovas, V. Balčiūnas, R. Butkutė, A. Flodstrom, B. Vengalis, R.A. Zakarevičius. Aukštatemperatūrių superlaidininkų mikrojuostelių nanosekundinis elektrinis nestabilumas. P. 294.
R. Dagys. Valentinės vario būsenos superlaidžiuose oksiduose. P. 300.
Puslaidininkiai
I.V. Vinokurova, O.V. Farberovič, A. Audzijonis, R. Žaltauskas. Optinės SbSI kristalų savybės fazinio virsmo srityje. P. 306.
A. Galdikas, A. Mironas, A. Šetkus, L. Dapkus, V. Kazlauskienė, J. Miškinis, A.V. Prikhodko, V.V. Ivanov-Omskij. Plonųjų vario oksidų sluoksnių jautrio dujoms tyrimai. P. 314.
A. Galdikas, A. Mironas, D. Senulienė, A. Šetkus. Legiravimo Cu įtaka nuo dujų poveikio priklausančioms alavo oksido plėvelių elektrinėms savybėms. P. 321.
I.V. Vinokurova, O.V. Farberovič, A. Audzijonis, R. Žaltauskas. Elektronų tankis ir tarpatominis ryšys SbSI kristaluose fazinio virsmo srityje. P. 330.
R. Baubinas, J. Vaitkus, L. Barauskaitė, L. Dapkus. CdSe monokristalų, užaugintų iš dujinės fazės, natūralių sienelių orientacija. P. 337.
A. Konin. Nepusiausvirųjų fononų įtaka puslaidininkinio termoelemento srovei. P. 343.
Trumpi pranešimai
A.B. Bolotin, A.V. Kazimianec. Cassini'o ovalų taikymas sudarant apytikres dvicentres orbitales. P. 346.
CONTENTS
Atoms and molecules
A. Kancerevičius. The role of nl N - nl N- k n' l' k excitations for correlation in atoms. P. 263.
Nonlinear optics and spectroscopy
J.V. Gražulevičius. Triplet state behaviour of poly(3,6-dibromocarbazolyl oxiranes). P. 271.
J.V. Gražulevičius and A. Undzėnas. Photophysical properties of thin films of poly(carbazolyl oxiranes). P. 277.
S. Martusevičius, Z. Talaikytė, and V. Razumas. SERRS spectra of heme, microperoxidases, and cytochrome c adsorbed on copper electrode surface. P. 285.
Ferroelectrics and superconductors
S. Balevičius, F. Anisimovas, V. Balčiūnas, R. Butkutė, A. Flodstrom, B. Vengalis, and R.A. Zakarevičius. Nanosecond electrical instability in high-Tc superconducting microstrips. P. 294.
R. Dagys. Valence states of copper in copper-oxide superconductors. P. 300.
Semiconductors
I.V. Vinokurova, O.V. Farberovich, A. Audzijonis, and R. Žaltauskas. Optical properties of SbSI crystals in the phase transition region. P. 306.
A. Galdikas, A. Mironas, A. Šetkus, L. Dapkus, V. Kazlauskienė, J. Miškinis, A.V. Prikhodko, and V.V. Ivanov-Omskii. Gas sensing properties of CuxO-based thin films. P. 314.
A. Galdikas, A. Mironas, D. Senulienė, and A. Šetkus. The influence of Cu doping on gas-controlled electrical properties of tin oxide thin films. P. 321.
I.V. Vinokurova, O.V. Farberovich, A. Audzijonis, and R. Žaltauskas. Electronic charge density and binding between the atoms of SbSI crystals in the region of phase transition. P. 330.
R. Baubinas, J. Vaitkus, L. Barauskaitė, and L. Dapkus. Orientation of native planes of CdSe single crystals grown from the vapour phase. P. 337.
A. Konin. The influence of nonequilibrium phonons on the semiconductor thermocell current. P. 343.
Short communications
A.B. Bolotin and A.V. Kazimianec. Application of Cassini's ovals for constructing approximate two-centre orbitals. P. 346.
TURINYS
Pratarmė. P. 357.
I. Mažamačiai dariniai
J. Požela, V. Jucienė, K. Požela. Elektronų sklaida optiniais fononais dvimačiuose dariniuose. P. 359.
L.E. Vorob'jev, S.N. Danilov, D.A. Firsov, E.A. Zibik, E. Towe, D. Sun, A.A. Toropov, T.V. Šubina. Elektrooptinis efektas dėl dvimačių elektronų kaitinimo keliose kvantinėse duobėse. P. 363.
V.Ya. Aleškin, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasil'nik, O.A. Kuznecov, M.D. Moldavskaja, V.V. Nikonorov, V.M. Cvetkov. Karštųjų skylių tyrimas įtemptuose Ge/Ge1-xSix dariniuose su daugeliu kvantinių duobių. P. 368.
D.A. Romanov, L.S. Braginsky. Suderintos elektronų pernašos per dviejų kristalų sąlyčio paviršių koeficientas. P. 372.
S. Marcinkevičius, U. Olin, C. Silfvenius, B. Stålnacke, J. Wallin, G. Landgren. Laikinė krūvininkų pernašos spektroskopija lazeriniuose InGaAsP dariniuose su kvantinėmis duobėmis. P. 377.
J. Kavaliauskas, G. Krivaitė, A. Galickas, I. Šimkienė. Elektrinio lauko lemiama sąveika tarp kvazisurištųjų ir ištisinio spektro būsenų kvantiniuose InGaAs/GaAs dariniuose. P.382.
Yu.A. Romanov, E.V. Demidov. Netiesinis dvimatės supergardelės laidumas. P. 386.
I. Burneika, L. Kniševskaja, O. Smertin, V. Šugurov. Dinaminė dielektrinio bangolaidžio, skirto milimetrinio diapazono integrinėms grandinėms, analizė. P. 389.
I. Madžulis. Plazmos dielektrinės skvarbos skaičavimas trajektorijų integralų metodu. P. 391.
II. Pernašos savybės
L. Reggiani, L. Varani, T. Gonz?lez, D. Pardo, E. Starikov, P. Šiktorov, V. Gružinskis. Aukštadažnių triukšmų spektrai puslaidininkinėse medžiagose ir prietaisuose . P. 395.
F. Prengel, A. Wacker, G. Schwarz, E. Schöll, J. Kastrup, H.T. Grahn. Domenų susidarymo dinamika puslaidininkių supergardelėse. P. 404.
E. Starikov, P. Šiktorov, V. Gružinskis, L. Reggiani, L. Varani, J.C. Vaissi?re, J.P. Nougier. Hidrodinaminis ir kinetinis karštųjų krūvininkų triukšmo temperatūros tūriniame puslaidininkyje modeliavimas. P. 408.
S. Ašmontas, A. Sužiedėlis, G. Valušis. Krūvininkų atšalimo reiškinys nevienalyčiame germanyje. P. 412.
O.M. Jevtušenko. Elektroniniai vyksmai siaurajuosčiuose puslaidininkiuose, veikiant kintamajam ir nuolatiniam elektriniam laukui. P. 416.
A. Žukauskas, S. Juršėnas. Karštųjų elektronų ir dvimačių fononų sistemos relaksacija stipriai sužadintame puslaidininkio lydinyje. P. 420.
K. Jarašiūnas, V. Gružinskis, P. Šiktorov, E. Starikov, L. Subačius, G. Valušis. Karšųjų krūvininkų dinamika ir šviesos difrakcija nevienalyčiame elektriniame lauke: eksperimentai ir modeliavimas. P. 426.
M. Urban, M.R. Siegrist, L. Asadauskas, R. Raguotis, R.Brazis. Trečiosios harmonikos generavimas tolimajame IR diapazone ir jo modeliavimas silicyje Monte Carlo metodu. P. 430.
K. K?lna, M. Moško, F.M. Peeters. Prilipimas GaAs kvantinėse duobėse dėl tarpelektroninės sklaidos. P. 435.
A.A. Sluckin, V.B. Jurčenko. Korbino disko daugiareikšmės voltamperinės charakteristikos, esant temperatūriniam elektriniam nestabilumui. P. 440.
V. Gružinskis, E. Starikov, P. Šiktorov. Hidrodinaminis ir kinetinis karštųjų krūvininkų sukelto triukšmo modeliavimas n+nn+ GaAs dioduose. P. 445.
V. Aninkevičius, V. Bareikis, R. Katilius, J. Liberis, I. Matulionienė, A. Matulionis, P. Sakalas, R. Šaltis. Tarpslėninė pernaša ir smūginės jonizacijos sukeltas triukšmas GaAs. P. 450.
A. Laurinavičius, K. Repšas, A.R. Vaškevičius. Milimetrinių bangų detektorius, pagrįstas šilumine evj silicyje. P. 453.
V.B. Jurčenko. Termoelektriniai karštųjų elektronų reiškiniai submikroninio storio dariniuose. P. 456.
S. Bumelienė. Moduliuotos šviesos panaudojimas, sinchronizuojant chaosą Al/GaAs Schottky sandarose. P. 461.
T. Puritis. Nauji griūtinio ir antrinio p-n sandūros silicyje pramušimo aspektai. P. 464.
J. Kundrotas, A. Dargys, A. Čėsna. Legiravimo ir kompensavimo įtaka priemaišinės smūginės jonizacijos stipriui n-GaAs. P. 467.
K. Repšas, A.R. Vaškevičius, A. Laurinavičius, A. Deksnys, F. Anisimovas. Karštieji krūvininkai YBa2Cu3 O 7- d ir Bi2Sr2CaCu2Oy aukštatemperatūrių superlaidininkų plėvelėse. P. 471.
V.F. Masterov, O.A. Prikhod'ko. Superlaidumo ir magnetinės tvarkos sambūvis YBa2Cu3-xFexO7+y keramikos vario subgardelėje. P. 475.
V. Vyun. Savaiminiai akustoelektrinio ir fotoelektrinio efektų virpesiai puslaidininkių pjezoelektrinėse sandarose. P. 478.
J. Rimšans. Kintamos skaliarinės masės puslaidininkių Boltzmann'o lygtis. P. 484.
V.L. Borblik, Z.S. Gribnikov. Koncentracinės gardelės elektronų ir skylių plazmoje, kuri slenka kintamajame elektriniame lauke. P. 488.
J. Vaitkus, I. Mikulskas, V. Netikšis, M. Petrauskas, S. Juodkazis, J.K. Furdyna. Netiesinė krūnininkų dinamika sluoksniuotose CdSe/ZnTe sandarose. P. 492.
III. Ilgabangės infraraudonosios spinduliuotės generavimas
Z.S. Gribnikov, A.N. Koršak, N.Z. Vagidov. Terahercinių srovės virpesių generavimas balistiniais krūvininkais, turinčiais neigiamą efektyvinę masę. P. 495.
L.E. Vorobjev, D.V. Donetskij, A. Kastalskij. Savaiminė skylių ilgabangė IR spinduliuotė, esant daugeliui kvantinių duobių. P. 502.
A.T. Dalakjan, S.S. Ševčenko, V.N. Tulupenko, D.A. Firsov. Priverstinė karštųjų skylių ilgabangė IR spinduliuotė išilgai deformuotame germanyje: priemaišų koncentracijos ir temperatūros įtaka. P. 507.
I.V. Altukhov, E.G. Čirkova, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis. Priverstiniai spinduliniai šuoliai stipriame elektriniame lauke tarp akceptoriaus lygmenų, skilusių dėl deformacinių įtempimų germanyje. P. 511.
L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, D.V. Donetskij, D.A. Firsov, Yu.V. Kočegarov. Karštųjų skylių lemtos ilgabangės IR šviesos generavimas germanyje Faraday'aus ir Voigt'o konfigūracijoje sukryžiuotuose elektriniame ir magnetiniame lauke. P. 514.
I.V. Altuchov, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis. Karštųjų skylių tekėjimas germanyje, suspaustame išilgai vienos ašies. P. 517.
R. Brazis. Priverstinė tolimosios IR srities fotonų emisija puslaidininkiuose, esančiuose elektriniame lauke. P. 519.
L.P. Amosova, I.Ja. Marmur, Ya.A. Oksman, I.I. Vereščagin, S. Ašmontas. Spartaus atsako infraraudonieji fotokatodai. P. 524.
G. Juška, K. Arlauskas, A. Suchodolskis, R. Schwarz, T. Fischer. Elektronų tuneliavimas daugiasluoksniame a-Si:H/a-SixC1-x:H darinyje. P. 527.
IV. Tuneliniai reiškiniai ir prietaisai
M. Willander, Y. Fu. Tuneliniai reiškiniai nanometrinės sandaros puslaidininkiuose. P. 531.
Z.C. Yan, E. Goovaerts, D. Schoemaker, C. Van Hoof, G. Borghs. Bistabilaus rezonansinio tunelinio šviesos diodo laikinis persijungimo trukmės matavimas, naudojant Stark'o poslinkį. P. 534.
A. Dargys, S. Žurauskas, N. Žurauskienė. Tuneliavimas GaAs:CAs ir Si:P dariniuose dalyvaujant akustiniams fononams. P. 538.
T. Figielski, T. Wosinski, A. Mąkosa, M. Kaniewska, K. Reginski.
Įvairūs rezonansinio tuneliavimo kanalai
dvibarjerėse įvairialytėse sandarose. P. 542.
A. Reklaitis. Srovės perjungimo diode, pagamintame iš įvairialyčio darinio su keletu barjerų, tyrimas Monte Carlo metodu. P. 545.
V.A. Kočelap, B.A. Glavin, V.V. Erdviniai dariniai dviejų barjerų įvairialytėse sandarose, pasižyminčiose bistabiliu rezonansiniu tuneliavimu. P. 549.
M.S. Kagan, E.G. Landsberg, V.V. Petriščev, N.G. Ždanova. Seklių priemaišinių centrų jonizavimas lauku, esant atsitiktiniam potencialui. P. 552.
L. Dózsa, P. Hubik, J. Kristofik. Pereinamosios defektinės DX centrų charakteristikos kambario temperatūroje. P. 555.
L. Dózsa, J. Karanyi, F. Riesz, Vo Van Tuyen, B. Szentpali, A. Muller. Neigiamą diferencialinę varžą turinčių prietaisų voltamperinių charakteristikų nustatymas matuojant pereinamąsias charakteristikas. P. 559.
V. Eksitonų dinamika
M. Godlewski, J.P. Bergman, B. Monemar. Eksitonų dinamika CdTe/CdMnTe, CdTe/CdMgTe ir CdMnTe/CdMgTe dariniuose, turinčiuose daug kvantinių duobių, išaugintuose naudojant molekulių spindulio epitaksiją. P. 563.
J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I.Akasaki. Eksitonų dinamika GaN. P. 569.
L. Valkūnas, S. Juršėnas. Polinių molekulių darinių optinės savybės. P. 575.
A. Medvid', V. Frišfelds. Sparčioji kinetinė fotolaidumo komponentė puslaidininkyje, esant elektrinio lauko skersiniam gradientui. P. 580.
R. Brazis, R. Narkowicz, L. Safonova, J.K. Furdyna. Praskiestojo magnetinio puslaidininkio epitaksinių darinių atspindžio koeficientas, esant Voigt'o konfigūracijai. P. 584.
R.G. Tarkhanian. Sąveikaujantys paviršiniai poliaritonai ant šoninių feritinės puslaidininkinės supergardelės paviršių. P. 587.
G. Liberts, V. Zauls. Molekulių hiperpoliarizuojamumo matavimai Rayleigh hipersklaidos metodu. P. 591.
VI. Ultraspartieji reiškiniai
J.F. Whitaker, H.H. Wang, C.Y. Sung, T. Sosnowski, T.B. Norris, H. Fujioka, Z. Liliental-Weber. Ultraspartus krūvininkų atsakas GaAs, išaugintame žemoje temperatūroje ir esant implantuoto arseno. P. 594.
C. Fürst, A. Leitenstorfer, A. Laubereau, G. Tränkle, G. Weimann. Femtosekundinė nepusiausviroji elektronų dinamika GaAs esant mažam žadinimo tankiui. P. 601.
R. Stasch, M. Asche, M. Giehler, R. Hey, B. Danil'čenko, A. Klimašov, S. Roško, O.G. Sarbey. Metastabilių centrų tyrimas plokščiai legiruotame GaAs:Si, naudojant karštųjų krūvininkų pernašą. P. 604.
J.G. Gurevich, M.A. Rodriguez, J.L. Carrillo, L. Meza-Montes, I.N. Volovičev. Kontaktiniai reiškiniai mažamatėse sistemose dalyvaujant karštiems elektronams ir fononams. P. 608.
G. Juška, K. Arlauskas, J. Kočka. Ultrasparčioji nespindulinė bimolekulinė rekombinacija a-Si:H darinyje. 611.
J. Marciak-Kozlowska, Z. Mucha. Medžiagų, kaitinamų ultratrumpu lazerio impulsu, savybės. P. 616.
S. Balevičius, V. Balčiūnas, A. Čenys, B. Vengalis, F. Anisimovas, R. Butkutė, V. Lisauskas, V. Jasutis. Aukštatemperatūrio superlaidininko mikrojuostelės suirimas dėl ultraspartaus S-N perjungimo. P. 622.
J. Kaladė, E. Montrimas, V. Jankauskas. Šviesos sugerties ir fotoiškrovos ypatybės organiniuose sluoksniuose po ultratrumpos ekspozicijos. P. 626.
V. Mizeikis, A.P. Smilga, K. Jarašiūnas. Krūvininkų pernašos pusiau izoliatoriuje GaAs anizotropija. P. 631.
S. Ašmontas, D. Seliuta, E. Širmulis. Spartus netiesinis fotoatsakas Schottky barjere, sužadinamame IR lazerio spinduliuote. P. 636.
M.N. Libenson, G.A. Martsinovskij. Erdvinės ultrasparčiųjų procesų apraiškos, kai puslaidininkis sužadinamas šviesa superlokaliai. P. 639.
CONTENTS
Preface. P. 357.
I. Low-dimensional structures
J. Požela, V. Jucienė, and K. Požela. Electron-optical phonon scattering in 2D structures. P. 359.
L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, D.A. Firsov, E.A. Zibik, E. Towe, D. Sun, A.A. Toropov, and T.V. Shubina. Electro-optical effect due to heating of two-dimensional electrons in multiple quantum wells. P. 363.
V.Ya. Aleshkin, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasil'nik, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.V. Nikonorov, and V.M. Tsvetkov. Investigations of hot holes in strained multi-quantum-well Ge/Ge1-xSix heterostructures. P. 368.
D.A. Romanov and L.S. Braginsky. Consented electron transmittance of crystal interface. P. 372.
S. Marcinkevičius, U. Olin, C. Silfvenius, B. Stålnacke, J. Wallin, and G. Landgren. Time-resolved spectroscopy of carrier transport in InGaAsP quantum well laser structures. P. 377.
J. Kavaliauskas, G. Krivaitė, A. Galickas, and I. Šimkienė. Electric field-induced coupling between quasi-bound and continuum states in InGaAs/GaAs quantum structures. P.382.
Yu.A. Romanov and E.V. Demidov. Nonlinear conductivity in 2D superlattice. P. 386.
I. Burneika, L. Knishevskaya, O. Smertin, and V. Shugurov. Dynamic analysis of a dielectric waveguide for millimetre wave integrated circuits. P. 389.
I. Madzhulis. Calculation of plasma permittivity by path integral method. P. 391.
II. Transport properties
L. Reggiani, L. Varani, T. Gonz?lez, D. Pardo, E. Starikov, P. Shiktorov, and V. Gružinskis. High-frequency noise spectra in semiconductor materials and devices. P. 395.
F. Prengel, A. Wacker, G. Schwarz, E. Schöll, J. Kastrup, and H.T. Grahn. Dynamics of domain formation in semiconductor superlattices. P. 404.
E. Starikov, P. Shiktorov, V. Gružinskis, L. Reggiani, L. Varani, J.C. Vaissi?re, and J.P. Nougier. Hydrodynamic and kinetic modelling of hot-carrier noise temperature in bulk semiconductors. P. 408.
S. Ašmontas, A. Sužiedėlis, and G. Valušis. Carrier cooling effect in nonuniform germanium. P. 412.
O.M. Yevtushenko. Electron processes in narrow-band semiconductors in AC and DC electric fields. P. 416.
A. Žukauskas and S. Juršėnas. Relaxation of a hot-electron-two-mode-phonon system in highly excited semiconductor alloy. P. 420.
K. Jarašiūnas, V. Gružinskis, P. Shiktorov, E. Starikov, L. Subačius, and G. Valušis. Hot-carrier dynamics and light diffraction in nonuniform electric field: experiments and modelling. P. 426.
M. Urban, M.R. Siegrist, L. Asadauskas, R. Raguotis, and R.Brazis. Far-infrared third-harmonic generation and its Monte Carlo simulation in Si. P. 430.
K. K?lna, M. Moško, and F.M. Peeters. Electron-electron scattering induced capture in GaAs quantum wells. P. 435.
A.A. Slutskin and V.B. Yurchenko. Multivalued current-voltage characteristics of the Korbino disk under temperature-electrical instability. P. 440.
V. Gružinskis, E. Starikov, and P. Shiktorov. Hydrodynamic and kinetic modelling of hot-carrier noise in n+nn+ GaAs diodes. P. 445.
V. Aninkevičius, V. Bareikis, R. Katilius, J. Liberis, I. Matulionienė, A. Matulionis, P. Sakalas, and R. Šaltis. Intervalley transfer and impact ionization noise in GaAs. P. 450.
A. Laurinavičius, K. Repšas, and A.R. Vaškevičius. Millimetre wave detectors based on hot electron thermo-e.m.f. in silicon. P. 453.
V.B. Yurchenko. Hot-electron thermoelectric phenomena in submicron-thick structures. P. 456.
S. Bumelienė. Using modulated light to synchronize chaos in Al/GaAs Schottky structures. P. 461.
T. Puritis. New aspects of avalanche and secondary breakdown of silicon p-n junction. P. 464.
J. Kundrotas, A. Dargys, and A. Čėsna. Influence of doping and compensation on the impurity impact ionization strength in n-GaAs. P. 467.
K. Repšas, A.R. Vaškevičius, A. Laurinavičius, A. Deksnys, and F. Anisimovas. Hot charge carriers in YBa2Cu3 O 7- d and Bi2Sr2CaCu2Oy high-temperature superconductor films. P. 471.
V.F. Masterov and O.A. Prikhodko. Coexistence of superconductivity and magnetic order in copper sublattices of the YBa2Cu3-xFexO7+y ceramics. P. 475.
V. Vyun. Self-sustained oscillations of acoustoelectric and photoelectric effects in semiconductor-piezoelectric structures. P. 478.
J. Rimshans. The Boltzmann equation for semiconductors with a variable scalar mass. P. 484.
V.L. Borblik and Z.S. Gribnikov. Concentration lattices in the electron-hole plasma which drifts in the alternating electric field. P. 488.
J. Vaitkus, I. Mikulskas, V. Netikšis, M. Petrauskas, S. Juodkazis, and J.K. Furdyna. Nonlinear dynamics of charge carriers in layered CdSe/ZnTe structures. P. 492.
III. Far-infrared radiation generation
Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, and N.Z. Vagidov. Generation of terahertz current oscillations by ballistic carriers with negative effective mass. P. 495.
L.E. Vorobjev, D.V. Donetsky, and A. Kastalsky. Hot hole spontaneous FIR emission in multiple quantum wells. P. 502.
A.T. Dalakyan, S.S. Shevchenko, V.N. Tulupenko, and D.A. Firsov. Stimulated FIR radiation of hot holes from uniaxially deformed germanium: influence of impurity concentration and temperature. P. 507.
I.V. Altukhov, E.G. Chirkova, M.S. Kagan, K.A. Korolev, and V.P. Sinis. Induced radiative transitions between strain-split acceptor levels in germanium at strong electric field. P. 511.
L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, D.V. Donetsky, D.A. Firsov, and Yu.V. Kochegarov. Generation of far-infrared light by hot holes in germanium in crossed electric and magnetic fields in Faraday and Voigt geometries. P. 514.
I.V. Altukhov, M.S. Kagan, K.A. Korolev, and V.P. Sinis. Hot hole streaming in uniaxially compressed germanium. P. 517.
R. Brazis. Stimulated far-infrared photon emission by phonons in semiconductors in electric fields. P. 519.
L.P. Amosova, I.Ya. Marmur, Ya.A. Oksman, I.I. Vereshchagin, and S. Ašmontas. Fast-response infrared photocathodes. P. 524.
G. Juška, K. Arlauskas, A. Suchodolskis, R. Schwarz, and T. Fischer. Electron tunnelling in a-Si:H/a-SixC1-x:H multilayers. P. 527.
IV. Tunnelling phenomena and devices
M. Willander and Y. Fu. Tunnelling phenomena in semiconductor nanostructures. P. 531.
Z.C. Yan, E. Goovaerts, D. Schoemaker, C. Van Hoof, and G. Borghs. Time-resolved Stark-shift measurement of the switching time in a bistable resonant tunnelling light-emitting diode. P. 534.
A. Dargys, S. Žurauskas, and N. Žurauskienė. Acoustic phonon assisted tunnelling in GaAs:CAs and Si:P P. 538.
T. Figielski, T. Wosinski, A. Mąkosa, M. Kaniewska, and K. Reginski. Different channels of resonant tunnelling in double-barrier heterostructures. P. 542.
A. Reklaitis. Monte Carlo study of current switching in a multibarrier heterostructure diode. P. 545.
V.A. Kochelap, B.A. Glavin, and V.V. Mitin. Patterns in double-barrier heterostructures with bistable resonant tunnelling. P. 549.
M.S. Kagan, E.G. Landsberg, V.V. Petrishchev, and N.G. Zhdanova. Field ionization of shallow impurities at random potential. P. 552.
L. Dózsa, P. Hubik, and J. Kristofik. Defect transients of DX centres at room temperature. P. 555.
L. Dózsa, J. Kar?nyi, F. Riesz, Vo Van Tuyen, B. Szentp?li, and A. Muller. Determination of the current-voltage characteristic of negative differential resistance devices by transient measurement. P. 559.
V. Exciton dynamics
M. Godlewski, J.P. Bergman, and B. Monemar. Exciton dynamics in CdTe/CdMnTe, CdTe/CdMgTe, and CdMnTe/CdMgTe multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy. P. 563.
J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, and I.Akasaki. Exciton dynamics in GaN. P. 569.
L. Valkūnas and S. Juršėnas. Optical properties of polar molecular compounds. P. 575.
A. Medvid' and V. Frishfelds. Fast kinetics of photoconductivity of a semiconductor with the transverse gradient of the electric field. P. 580.
R. Brazis, R. Narkowicz, L. Safonova, and J.K. Furdyna. Reflectivity of diluted magnetic semiconductor epitaxial structures in the Voigt configuration. P. 584.
R.G. Tarkhanian. Coupled surface polaritons on the lateral surfaces of ferrite/semiconductor superlattice. P. 587.
G. Liberts and V. Zauls. Measurements of molecular hyperpolarizability by hyper-Rayleigh scattering technique. P. 591.
VI. Ultrafast phenomena
J.F. Whitaker, H.H. Wang, C.Y. Sung, T. Sosnowski, T.B. Norris, H. Fujioka, and Z. Liliental-Weber. Ultrafast carrier response of low-temperature-grown and arsenic-implanted GaAs. P. 594.
C. Fürst, A. Leitenstorfer, A. Laubereau, G. Tränkle, and G. Weimann. Femtosecond nonequilibrium dynamics of electrons in GaAs at low excitation densities. P. 601.
R. Stasch, M. Asche, M. Giehler, R. Hey, B. Danilchenko, A. Klimashov, S. Roshko, and O.G. Sarbey. Investigation of metastable centres in planar-doped GaAs:Si by hot carrier transport. P. 604.
Yu.G. Gurevich, M.A. Rodr?guez, J.L. Carrillo, L. Meza-Montes, and I.N. Volovichev. Contact phenomena in low-dimensional systems with hot electrons and phonons. P. 608.
G. Juška, K. Arlauskas, and J. Kočka. Ultrafast nonradiative bimolecular recombination in a-Si:H.P. 611.
J. Marciak-Kozlowska and Z. Mucha. Properties of materials heated with ultrashort laser pulse. P. 616.
S. Balevičius, V. Balčiūnas, A. Čenys, B. Vengalis, F. Anisimovas, R. Butkutė, V. Lisauskas, and V. Jasutis. Damage to high-Tc superconducting microstrips from ultrafast S-N switching. P. 622.
J. Kaladė, E. Montrimas, and V. Jankauskas. Features of light absorption and photodischarge of organic layers under ultrashort exposure. P. 626.
V. Mizeikis, A.P. Smilga, and K. Jarašiūnas. Carrier transport anisotropy in semiinsulating GaAs. P. 631.
S. Ašmontas, D. Seliuta, and E. Širmulis. Fast nonlinear photoresponse in a Schottky barrier under IR laser excitation. P. 636.
M.N. Libenson and G.A. Martsinovsky. Spatial manifestation of ultrafast processes under superlocal photoexcitation of a semiconductor. P. 639.