TURINYS
Apžvalgos
I. Martinson. Daugkart jonizuotų atomų gyvavimo trukmės matavimas. P. 3.
Atomai ir molekulės
A. Šurkus. Apibendrintosios potencialo funkcijos naudojimas, sprendžiant dviatomių molekulių atvirkštinį spektroskopinį uždavinį. KrH+ pagrindinės būsenos potencialo funkcija. P. 16.
Feroelektrikai ir superlaidininkai
L. Leonyuk, G.-J. Babonas. Tb legiruotų Y-123 tipo monokristalų auginimo ir savybių ypatumai. P. 22.
Puslaidininkiai
V. Palenskis, J. Matukas, T. Pėstininkas. Metalo ir galio arsenido sąlyčio elektrinių charakteristikų modeliavimas. P . 30.
V. Palenskis, J. Matukas, S. Smetona. Puslaidininkio paviršiaus paruošimo įtaka metalo ir galio arsenido sąlyčio elektrinėms savybėms. P. 39.
J. Matukas, V. Palenskis. Metalo ir galio arsenido sąlyčio žemadažniai triukšmai, skirtingai apdorojant puslaidininkio paviršių. P. 48.
E. Montrimas, R. Rinkūnas. Pradinis seleno sluoksnių susidarymas. P. 60.
P. Pipinys, A. Rimeika, V. Lapeika. Krūvio pernašos būdas metalo-SiO2-nSi dariniuose. P. 67.
Trumpi pranešimai
S. Ašmontas, A. Čėsna, J. Kundrotas, G. Valušis. Labai kompensuoto n-InP liuminescencijos spektrai. P. 73.
A.M. Konin, A.P. Sashchiuk. Anomalusis magnetokoncentracinis reiškinys vienaašiai deformuotame germanio kristale. P. 76.
CONTENTS
Reviews
I. Martinson. Lifetime measurements for multiply ionized atoms. P. 3.
Atoms and molecules
A. Šurkus. Application of the generalized potential energy function for solving the inverse spectroscopic problem for diatomic molecules. The potential energy function for the X1S + state of KrH+. P. 16.
Ferroelectrics and superconductors
L. Leonyuk and G.-J. Babonas. Features in growth and properties of Tb-doped Y-123-type single crystals. P. 22.
Semiconductors
V. Palenskis, J. Matukas, and T. Pėstininkas. Modelling of electrical characteristics of the metal-gallium arsenide contact. P . 30.
V. Palenskis, J. Matukas, and S. Smetona. Influence of the semiconductor substrate surface treatment on electrical characteristics of the metal-gallium arsenide contact. P. 39.
J. Matukas and V. Palenskis. The metal-gallium arsenide contact low-frequency noise at various treatment of the semiconductor substrate surface. P. 48.
E. Montrimas and R. Rinkūnas. Initial stage of selenium layer formation. P. 60.
P. Pipinys, A. Rimeika, and V. Lapeika. On the current transport mechanism in metal-silicon dioxide-silicon structures. P. 67.
Short communications
S. Ašmontas, A. Čėsna, J. Kundrotas, and G. Valušis. Luminescence spectra of highly compensated n-InP. P. 73.
A.M. Konin and A.P. Sashchiuk. Anomalous magnetoconcentrational effect in a uniaxially deformed germanium crystal. P. 76.
TURINYS
Branduolio fizika
A. Deveikis and G. Kamuntavičius. Atomo branduolio sluoksnių modelio vidinės tankio matricos. P. 83.
Elektrodinamika ir banginiai procesai
I. Burneika, L. Kniševskaya, A. Laurinavičius, K. Požela, O. Smertin, M. Tamošiūnienė, and V.Šugurov. Metalinio bangolaidžio su skersai įmagnetintu puslaidininkiniu sluoksniu skaitmeninis tyrimas. P. 96.
Feroelektrikai ir superlaidininkai
V. Lisauskas, R. Butkutė, L. Dapkus, A. Jukna, and B. Vengalis. Epitaksinių indžio-alavo oksido sluoksnių auginimas ant ZrO2 padėklų magnetroninio dulkinimo būdu. P. 104.
B. Vengalis, A. Paulavičius, D. Franukevičius, V. Celik, and A. Deksnys. Superlaidžiųjų Bi2Sr2CaCu2O8 mikrojuostelių gaminimas, naudojant daugiasluoksnius Bi-(Sr,Ca)F2-Cu darinius.P. 108.
Z. Martūnas, B. Vengalis, H. Tvardauskas, A. Jukna, and V. Pyragas. Bi2Sr2CaCu2O8 sluoksnių netiesinių elektrinių savybių tyrimas dviejų dažnių keitimo būdu. P. 113.
Optika ir spektroskopija
L. Giniūnas and S.V. Shatalin. Skirtuminis bendrojo židinio optinis mikroskopas su vienamodžiu poliarizaciją išsaugojančiu šviesolaidžiu. P. 117.
Puslaidininkiai
R. Brazis, L. Safonova, and R. Narkowicz. Infraraudonieji sužadinimai puslaidininkių periodiniuose sluoksniuotuose dariniuose skersiniame magnetiniame lauke. P. 124.
V. Bondarenka, S. Grebinskij, S.Mickevičius, V. Volkov, and G. Zacharova. Krūvininkų judrumas ir jų skaičiaus tankis H2V12-xMox O31 ± y · nH2O kserogeliuose. P. 131.
J. Kavaliauskas, G. Krivaitė, A. Galickas, and I. Šimkienė. Elektrinio lauko įtaka eksitoniniams šuoliams asimetrinėse InGaAs/GaAs kvantinėse duobėse su laiptuotu potencialo profiliu. P. 140.
J. Požela, V. Jucienė, and K. Požela. Elektronų sklaida kvantinės duobės paviršiniais fononais. P. 149.
Trumpi pranešimai
B.G. Wybourne. Pletizmas ir simplektiniai modeliai. P. 159.
V. Bondarenka, S. Mickevičius, S. Grebinskij, A. Kindurys, V. Volkov, and G. Zacharova. Kserogelių H2V12-xMex O31 ± y · nH2O (Me = Mo, Cr) infraraudonieji spektrai.P. 162.
CONTENTS
Nuclear physics
A. Deveikis and G. Kamuntavičius. Intrinsic density matrices of the nuclear shell model. P. 83.
Electrodynamics and wave processes
I. Burneika, L. Kniševskaya, A. Laurinavičius, K. Požela, O. Smertin, M. Tamošiūnienė, and V.Šugurov. Numerical and experimental investigation of metal waveguide containing a layer of transversally magnetized semiconductor. P. 96.
Ferroelectrics and superconductors
V. Lisauskas, R. Butkutė, L. Dapkus, A. Jukna, and B. Vengalis. Preparation of epitaxial indium-tin oxide films on ZrO2 substrates by magnetron sputtering. P. 104.
B. Vengalis, A. Paulavičius, D. Franukevičius, V. Celik, and A. Deksnys. Superconducting Bi2Sr2CaCu2O8 microstrip formation from micropatterned Bi-(Sr,Ca)F2-Cu multilayers.P. 108.
Z. Martūnas, B. Vengalis, H. Tvardauskas, A. Jukna, and V. Pyragas. Nonlinear electrical properties of thick Bi2Sr2CaCu2O8 films investigated by two frequency mixing method. P. 113.
Optics and spectroscopy
L. Giniūnas and S.V. Shatalin. Differential confocal microscope using single-mode birefringent optical fibre. P. 117.
Semiconductors
R. Brazis, L. Safonova, and R. Narkowicz. Infrared excitations in semiconductor layered periodic structures in transverse magnetic field. P. 124.
V. Bondarenka, S. Grebinskij, S.Mickevičius, V. Volkov, and G. Zacharova. Mobility and concentration of charge carriers in H2V12-xMox O31 ± y · nH2O xerogels. P. 131.
J. Kavaliauskas, G. Krivaitė, A. Galickas, and I. Šimkienė. Electric field dependence of exciton transitions in InGaAs/GaAs asymmetric step quantum wells. P. 140.
J. Požela, V. Jucienė, and K. Požela. Electron scattering in quantum well by interface phonons. P. 149.
Short communications
B.G. Wybourne. Plethysm and symplectic models. P. 159.
V. Bondarenka, S. Mickevičius, S. Grebinskij, A. Kindurys, V. Volkov, and G. Zacharova. IR spectra of H2V12-xMex O31 ± y · nH2O (Me = Mo, Cr) xerogels.P. 162.
TURINYS
Kietojo kūno fizika. Puslaidininkiai
R. Dagys, G.-J. Babonas, L. Leonyuk. Aukštatemperatūrių superlaidininkų optinės savybės ir superlaidumas. P. 173.
V. Palenskis, A. Lisauskas, A. Stadalnikas. Polikristalinių aukštatemperatūrio itrio grupės superlaidininko sluoksnių varžos fliuktuacijos. P. 178.
R.J. Rakauskas, R. Purlys, S. Stasiūnas. Röntgen'o spinduliuotės sklaidymas aril ketonais. P. 183.
A. Čėsna, J. Kundrotas, A. Dargys, K. Bertulis. p-GaAs sekliųjų akceptorių jonizacija elektriniu lauku. P. 186.
J. Kavaliauskas, G. Krivaitė. Optiniai šuoliai asimetrinėse InGaAs/GaAs kvantinėse duobėse esant elektriniam laukui. P. 190.
G. Leontjevas. p-n sandūros paviršinės rekombinacinės srovės. P. 193.
E. Montrimas, A. Pažėra, S. Sakalauskas. Kinetinių reiškinių tyrimas SiO2-Si heterosandūroje. P. 197.
G. Tamulaitis, S. Juršėnas, G. Kurilčik, A. Žukauskas. Moto virsmas puslaidininkiniuose nanokristaluose. P. 200.
G. Kurilčik, S. Juršėnas, A. Žukauskas. Karštųjų fotoelektronų daugiafononis pagavimas stipriai sužadintuose CdSe ir CdS kristaluose. P. 203.
R. Maldžius, E. Montrimas, J. Kaladė. Didžavaržių puslaidininkių krūvininkų giliųjų būsenų judrumo juostoje nustatymo metodas. P. 206.
M. Viliūnas, G. Juška. Apie lokalių būsenų tankio nustatymą iš erdvinio krūvio ribotos fotosrovės kinetikos. P. 210.
R. Viselga, A. Krotkus, S. Marcinkevičius. Femtosekundinis krūvininkų pagavimas GaAs. P. 213.
A. Česnys, A.K. Oginskis, V. Lisauskas, T. Vėsienė, N. Šiktorovas. Oksidinių vanadžio bronzų plonųjų sluoksnių sudarymas magnetroninio dulkinimo būdu. P. 217.
J. Vyšniauskas, V. Palenskis, H. Andrulėnas, J. Matukas. Krūvininkų pernaša ir triukšmai nehomogeniniuose GaAs Šotkio dioduose. P. 219.
J. Matukas, V. Palenskis, Š. Meškinis, S. Smetona. Žemadažniai Šotkio Al(Au)-Se/nGaAs diodų triukšmai. P. 223.
V. Pačebutas, K. Grigoras, A. Krotkus, I. Šimkienė. Saulės elementai su akytojo silicio dangomis. P. 226.
R. Butkutė, V. Lisauskas, L. Dapkus, V. Jasutis, A. Jukna, B. Vengalis. Epitaksiniai indžio-alavo oksido sluoksniai. P. 230.
S. Balevičius, F. Anisimovas, R. Butkutė, A. Čenys, V. Jasutis, A. Jukna, O. Kiprijanovič, V. Lisauskas, B. Vengalis. Aukštatemperatūrio superlaidininko plonasluoksnių plačių juostelių spartusis S-N perjungimas. P. 233.
R. Pūras, S. Sakalauskas, A. Sodeika. Talpinio išlaisvinimo darbo matavimo metodo metrologiniai aspektai. P. 236.
G. Šimėnas, J. Vyšniauskas. Griūtinių n-n+ diodų p+nn+ sandūros statumo įtaka jų savaiminių pulsacijų parametrams. P. 239.
Š. Meškinis, S. Smetona, G. Balčaitis, J. Matukas. GaAs paviršiaus savybių keitimas, jį bombarduojant mažos energijos jonaist. P. 243.
A. Petravičius, A. Žindulis. Lazerinio jonų šaltinio masių spektroskopijos taikymas įvairaus gamybos būdo CdSe ir Se-Te sluoksninių darinių analizei. P. 247.
J. Jakimavičius, R. Purlys, S. Stasiūnas. Röntgen'o spindulių nekoherentinės sklaidos panaudojimas medžiagų elektroninės struktūros tyrimams. P. 250.
Branduolio fizika. Akustika
K. Makariūnas. Nuogi radioaktyvūs branduoliai. P. 252.
R.L. Kalinauskas, A. Plukis, V. Remeikis. Urano izotopinio santykio įvertinimas gama spektrometriniu metodu. P. 258.
A. Dragūnas, R.L. Kalinauskas, K. Makariūnas, V. Remeikis. 114mIn radioaktyvaus skilimo pilnutinės ir dalinės tikimybių pokyčių radimas. P. 261.
E. Garška, R. Giriūnienė, K. Sakalauskas. Vandenilio jonų koncentracijos dinamika vandenyje ultragarsiniame lauke. P. 265.
V. Kunigėlis, V. Adomaitis, M. Senulis, V. Stauskis. Garso bangų atspindys nuo stačiakampių beveik kietų plokščių. P. 268.
D. Perkauskas, K. Senuta, A. Mikelinskienė, B. Giedraitis, R. Berkowicz, H.R. Olesen. Oro taršos lygių Elektrėnų elektrinėje kūrenant mazutą ar orimulsiją palyginimas. P. 271.
CONTENTS
Solid State Physics. Semiconductors
R. Dagys, G.-J. Babonas, and L. Leonyuk. Optical properties and superconductivity of high-Tc superconductors. P. 173.
V. Palenskis, A. Lisauskas, and A. Stadalnikas. Resistance fluctuations of polycrystalline high-temperature Y-based superconductor films. P. 178.
R.J. Rakauskas, R. Purlys, and S. Stasiūnas. Scattering of X-rays by aryl ketones. P. 183.
A. Čėsna, J. Kundrotas, A. Dargys, and K. Bertulis. Ionization of shallow acceptors by electric field in p-GaAs. P. 186.
J. Kavaliauskas and G. Krivaitė. Optical transitions in InGaAs/GaAs asymmetric step quantum wells under electric field. P. 190.
G. Leontjevas. Surface recombination current in p-n junctions. P. 193.
E. Montrimas, A. Pažėra, and S. Sakalauskas. Investigation of transient phenomena in the SiO2-Si heterojunction. P. 197.
G. Tamulaitis, S. Juršėnas, G. Kurilčik, and A. Žukauskas. The Mott transition in semiconductor nanocrystals. P. 200.
G. Kurilčik, S. Juršėnas, and A. Žukauskas. Capture of hot photoelectrons by multiphonon emission in highly excited CdSe and CdS crystals. P. 203.
R. Maldžius, E. Montrimas, and J. Kaladė. The method of investigation of the localized state density in high-resistance semiconductor mobility gap. P. 206.
M. Viliūnas and G. Juška. Comments on determination of the energy distribution of localized states from space-charge-limited photocurrent transients. P. 210.
R. Viselga, A. Krotkus, and S. Marcinkevičius. Femtosecond carrier trapping in GaAs. P. 213.
A. Česnys, A.K. Oginskis, V. Lisauskas, T. Vėsienė, and N. Šiktorovas. Fabrication of vanadium oxide bronze thin films by using magnetron sputtering. P. 217.
J. Vyšniauskas, V. Palenskis, H. Andrulėnas, and J. Matukas. Electron transport and noise in GaAs Schottky diodes with nonhomogeneous impurity distribution in the active layer. P. 219.
J. Matukas, V. Palenskis, Š. Meškinis, and S. Smetona. Low-frequency noise of Al(Au)-Se/nGaAs Schottky diodes. P. 223.
V. Pačebutas, K. Grigoras, A. Krotkus, and I. Šimkienė. Solar cell with porous silicon coating. P. 226.
R. Butkutė, V. Lisauskas, L. Dapkus, V. Jasutis, A. Jukna, and B. Vengalis. Epitaxial indium-tin oxide films. P. 230.
S. Balevičius, F. Anisimovas, R. Butkutė, A. Čenys, V. Jasutis, A. Jukna, O. Kiprijanovič, V. Lisauskas, and B. Vengalis. Fast S-N switching in wide tapes of thin high-Tc superconducting films. P. 233.
R. Pūras, S. Sakalauskas, and A. Sodeika. Metrological aspects of work function measurement by capacity method. P. 236.
G. Šimėnas and J. Vyšniauskas. Influence of abrupt n-n+ junction on parameters of self-pulsations in p+nn+ avalanche diodes. P. 239.
Š. Meškinis, S. Smetona, G. Balčaitis, and J. Matukas. GaAs surface properties modification by low-energy ion bombardment. P. 243.
A. Petravičius and A. Žindulis. Application of laser ion source mass spectroscopy for analysis of different CdSe layers and Se-Te structures. P. 247.
J. Jakimavičius, R. Purlys, and S. Stasiūnas. Electronic structure investigation of materials by X-ray noncoherent scattering. P. 250.
Nuclear Physics. Acoustics
K. Makariūnas. Bare radioactive nuclei. P. 252.
R.L. Kalinauskas, A. Plukis, and V. Remeikis. Gamma-ray spectrometric method for uranium isotope ratio determination. P. 258.
A. Dragūnas, R.L. Kalinauskas, K. Makariūnas, and V. Remeikis. Determination of variations of 114mIn radioactive decay total and partial probabilities. P. 261.
E. Garška, R. Giriūnienė, and K. Sakalauskas. Dynamics of the concentration of hydrogen ions in water in the presence of the ultrasonic field. P. 265.
V. Kunigėlis, V. Adomaitis, M. Senulis, and V. Stauskis. Reflection of sound waves from rigid rectangular plane panels. P. 268.
D. Perkauskas, K. Senuta, A. Mikelinskienė, B. Giedraitis, R. Berkowicz, and H.R. Olesen. Evaluation of air pollution levels from Elektrėnai electric power station with respect to alternative use of black mineral oil or orimulsion in its boilers. P. 271.
TURINYS
Lazerinė fizika. Optika ir spektroskopija
K.-H. Feller, J. Bischoff, R. Gadonas, A. Pugžlys. Netiesiniai optiniai reiškiniai Langmuir ir Blodgett plėvelėse ir jų taikymas aplinkai analizuoti. II. Lengmuir ir Blodgett plėvelių paviršiaus analitika ir fotostabilumas. P. 281.
D.W. Aksnes, L. Kimtys. Daugiabranduolio magnetinio rezonanso spektroskopijos taikymas kietųjų organinių medžiagų molekulių judesių ir fazinių virsmų tyrimuose. P. 285.
A. Lazutka, A. Geižutis, A. Krotkus, A. Šilėnas. Pikosekundinis lazerinis diodas su kokybės moduliacija. P. 296.
A. Jasaitis, Jr., G. Streckytė, R. Rotomskis. Sensibilizatorių-baltymų kompleksų fotofizika. P. 299.
D. Lingė, V. Adomaitis, P. Kietis, R. Valiokas. Purpurinių membranų foto-evj pirminių procesų modelis. P. 303.
E. Gaižauskas, R. Grigonis, V. Sirutkaitis, A. Piskarskas, S. Kohlweyer, G.D. Tsakiris. Femtosekundinių teravatinių impulsų erdvinio pasiskirstymo ir fono įtaka dažnio dvigubinimo efektyvumui. P. 307.
V. Sirutkaitis, V. Smilgevičius, R. Grigonis, A. Piskarskas. Efektyvus b-bario borato optinis parametrinis generatorius, kaupinamas moduliuotos kokybės daugiamodžio Nd:IAG lazerio trečiąja harmonika. P. 311.
A. Marcinkevičius, A. Piskarskas, V. Smilgevičius. Atskirtųjų rezonatorių pikosekundinio parametrinio generatoriaus spinduliuotės spektro formavimas. P. 315.
V. Gudelis, P. Juzėnas, J. Slavėnas, R. Rotomskis, J. Didžiapetrienė. Sensibilizuotų vėžinių audinių fluorescencijos spektrų tyrimas. P. 318.
A. Baltuška, R. Gadonas, A. Piskarskas, A. Pugžlys, K.-H. Feller. Pseudoizocianino chlorido J-agregatų netiesinių optinių savybių tyrimas. P. 322.
E. Katilius, G. Trinkūnas. Neeksponentinė pirminio krūvių atskyrimo kinetika purpurinių bakterijų reakciniame centre. P. 325.
R. Danielius, A. Dubietis, A. Piskarskas, G. Valiulis, A. Varanavičius. Femtosekundinės trukmės impulsų generavimas suminio dažnio impulsų spūdos metodu. P. 329.
R. Danielius, A. Dubietis, A. Piskarskas, G. Tamošauskas, A. Juozapavičius, P. Di Trapani. Eksperimentinė impulso bangos fronto pokrypio analizė naudojant skanuojantį autokoreliatorių. P. 333.
G. Kodis, V. Gulbinas, L. Valkūnas, S. Juršėnas. Netiesinė polinių dimetilaminobenziliden-1,3-indandiono molekulių darinių liuminescencija. P. 336.
J. Šalkauskas. Atominė emisinė spektrinė cheminė analizė ir plazmos diagnostika. P. 340.
Teorinė fizika
B. Kaulakys. Netiesinių kvaziklasikinių sistemų dinamikos ypatumai. P. 343.
A. Namajūnas, K. Pyragas, A. Tamaševičius. Tolydinis chaoso valdymas. P. 346.
M.L. Balevičius, E. Stumbrys. Si20 ir K@Si20, kur K=Cr, Mo, W, sistemų elektroninės struktūros ir stabilumo tyrimas. P. 351.
P. Bogdanovičius, S. Šadžiuvienė, V. Tutlys. Dalinis didelių energijos matricų diagonalizavimas. P. 354.
R.-K. Kalinauskas. Branduolio kolektyvinio modelio hamiltonianas antisimetrinėms būsenoms. P. 357.
D. Šatkovskienė, G. Augustaitis. Teorinis n-alkanų konformacinių dėsningumų tyrimas. P. 359.
A. Bolotinas, P. Pipiraitė. Fenolio darinių elektroninės struktūros ir antioksidantinio aktyvumo tyrimas MNDO metodu. P. 362.
V. Palenskis, K. Maknys. Superlaidininkų charakteristikų modeliavimas. P. 365.
A. Audzijonis, A. Krikščiūnas, and V. Lazauskas. A5B6C7 kristalų elektroninės sandaros teorinio tyrimo modelis. P. 369.
A. Kazimianec, A. Bolotin, R. Šadžius. BK tipo orbitalių dvicentrės bazės konstravimas tolydžiųjų grupių teorijos metodais. P. 372.
CONTENTS
Laser physics. Optics and spectroscopy
K.-H. Feller, J. Bischoff, R. Gadonas, and A. Pugžlys. Nonlinear optics and environmental sensing with Langmuir-Blodgett films. II. Surface analytics and photostability of Langmuir-Blodgett films. P. 281.
D.W. Aksnes and L. Kimtys. The application of multinuclear magnetic resonance in the investigation of phase transitions and molecular motions in organic solids. P. 285.
A. Lazutka, A. Geižutis, A. Krotkus, and A. Šilėnas. Q-switched picosecond diode laser. P. 296.
A. Jasaitis, Jr., G. Streckytė, and R. Rotomskis. Photophysics of sensitizer-protein complexes. P. 299.
D. Lingė, V. Adomaitis, P. Kietis, and R. Valiokas. Model of primary electrical events in purple membranes. P. 303.
E. Gaižauskas, R. Grigonis, V. Sirutkaitis, A. Piskarskas, S. Kohlweyer, and G.D. Tsakiris. Influence of spatial distribution and pedestal of femtosecond terawatt pulses on frequency doubling efficiency. P. 307.
V. Sirutkaitis, V. Smilgevičius, R. Grigonis, and A. Piskarskas. Efficient b-barium borate optical parametric oscillator pumped at the third harmonic of Q-switched multiaxial Nd:YAG laser. P. 311.
A. Marcinkevičius, A. Piskarskas, and V. Smilgevičius. Spectrum control in doubly resonant picosecond KTP OPO with separated cavities. P. 315.
V. Gudelis, P. Juzėnas, J. Slavėnas, R. Rotomskis, and J. Didžiapetrienė. Investigation of fluorescence spectra of sensitized cancer tissues. P. 318.
A. Baltuška, R. Gadonas, A. Piskarskas, A. Pugžlys, and K.-H. Feller. Investigation of nonlinear optical properties of J-aggregates of pseudoisocyanine chloride. P. 322.
E. Katilius and G. Trinkūnas. Nonexponential kinetics of primary charge separation in purple bacterial reaction centre. P. 325.
R. Danielius, A. Dubietis, A. Piskarskas, G. Valiulis, and A. Varanavičius. Femtosecond pulse generation by sum frequency pulse compression. P. 329.
R. Danielius, A. Dubietis, A. Piskarskas, G. Tamošauskas, A. Juozapavičius, and P. Di Trapani. Experimental analysis of pulse front tilt using a scanning autocorrelator. P. 333.
G. Kodis, V. Gulbinas, L. Valkūnas, and S. Juršėnas. Nonlinear luminescence of polar dimethylaminobenzylidene-1,3-indandione compounds. P. 336.
J. Šalkauskas. Atomic emission spectrochemical analysis and plasma diagnostics. P. 340.
Theoretical physics
B. Kaulakys. Dynamical peculiarities of nonlinear quasiclassical systems. P. 343.
A. Namajūnas, K. Pyragas, and A. Tamaševičius. Continuous control of chaos. P. 346.
M.L. Balevičius and E. Stumbrys. Investigation of the electronic structure and stability of Si20 and K@Si20, where K=Cr, Mo, W. P. 351.
P. Bogdanovičius, S. Šadžiuvienė, and V. Tutlys. Partial diagonalization of large energy matrices. P. 354.
R.-K. Kalinauskas. Hamiltonian of the collective nuclear model in the subspace of Pauli-allowed states. P. 357.
D. Šatkovskienė and G. Augustaitis. Theoretical study of conformational regularities of n-alkanes. P. 359.
A. Bolotinas and P. Pipiraitė. Investigation of the electronic structure and antioxidant activity of phenol derivatives by the MNDO method. P. 362.
V. Palenskis and K. Maknys. Modelling of superconductor characteristics. P. 365.
A. Audzijonis, A. Krikščiūnas, and V. Lazauskas. The model for theoretical investigation of electronic structure of the A5B6C7 crystal. P. 369.
A. Kazimianec, A. Bolotin, and R. Šadžius. Construction of a two-centre basis set of BK-type orbitals using continuous-group theory techniques. P. 372.
TURINYS
Atomai ir molekulės
A. Šurkus. Dviatomių molekulių atvirkštinio spektroskopinio uždavinio sprendimas, naudojant apibendrintąją potencialo funkcijų ir atsižvelgiant į adiabatinius ir neadiabatinius efektus. P. 383.
V. Lazauskas, D. Baltrunas, R. Mikaitis, A. Krikščiūnas. a, b, g modifikacijų SnF2 kristalų kvantinio cheminio skaičiavimo modelis ir jo ryšys su Mössbauer izomeriniu poslinkiu. P. 390.
Elektrodinamika ir banginiai procesai
L. Kniševskaya, K. Požela, M. Tamošiūniene, V. Shugurov. Išilginiai įmagnetintų cilindrinių p-Ge ir n-InSb bangolaidžių elektrodinaminių charakteristikų tyrimas. P. 397.
J. Bučinskas, V. Šugurov. Elektromagnetinės bangos sklaida bet kokios formos metaliniu kūnu. P. 402.
Feroelektrikai ir superlaidininkai
J. Banys, A. Pöppl, G. Völkel, J. Simon, J. Hoentsch, A. Klöpperpieper. PO 3 2- radikalo elektrono sukinio relaksacija (betaino fosfato)0.95(betaino fosfito)0.05 kristale. P. 409.
J. Grigas, R. Mizaras, J. Banys, A. Brilingas, B. Jaselskis. Ksenono junginio Na4XeO6 · 8H2O dielektrinė skvarba ir joninis laidumas. P. 413.
Puslaidininkiai
F. Kuliešius, P.K. Mačkus. Relaksacijos pobūdis poliepoksipropilkarbazole. P. 417.
V. Bondarenka, H. Tvardauskas, Z. Martūnas, S. Grebinskii, S. Mickevičius, V. Volkov, G. Zakharova. BaV12O30.7 · 8.2H2O kserogelių Röntgen'o fotoelektronų spektrai. P. 422.
V. Bondarenka, S. Grebinskii, S. Mickevičius, V. Volkov, G. Zakharova. Pereinamųjų vyksmų tyrimas H2V11.5Cr0.5O30.7 · 8.4H2O kserogeliuose kompleksinio impedanso spektroskopijos metodu. P. 428.
R. Miškinis, P. Rutkowski, E. Urba. Slopstančioji paviršinė akustinė banga, sklindanti galio arsenido (111) pjūviu [11 0] kryptimi. P. 432.
A.M. Konin. Krūvininkų vilkimo fononais įtaka koncentraciniam reiškiniui netolygiai įkaitintame puslaidininkyje. P. 436.
A. Kindurys, G. Krivaitė, A. Galickas. Infraraudonosios spektro srities Si/SiO2 interferenciniai filtrai. P. 441.
Trumpi pranešimai
A. Šurkus. XeH+ pagrindinės būsenos X1 S+ potencialo funkcija. P. 446.
A. Bandzaitis. Supaprastinta taisyklė faziniam daugikliui nustatyti, naudojant momentų surišimo būdo transformacijos matricų standartines diagramas. P. 448.
CONTENTS
Atoms and molecules
A. Šurkus. Inclusion of adiabatic and nonadiabatic effects into the diatomic generalized potential energy function for solving the inverse spectroscopic problem. P. 383.
V. Lazauskas, D. Baltrunas, R. Mikaitis, and A. Krikščiūnas. Model for quantum-chemical calculation of a, b, g SnF2 crystal modifications and its relation with Mössbauer isomer shift. P. 390.
Electrodynamics and wave processes
L. Kniševskaya, K. Požela, M. Tamošiūniene, and V. Shugurov. Investigation of electrodynamic characteristics of cylindrical longitudinally magnetized p-Ge and n-InSb waveguides. P. 397.
J. Bučinskas and V. Šugurov. Electromagnetic wave scattering by a metal body of an arbitrary shape. P. 402.
Ferroelectrics and superconductors
J. Banys, A. Pöppl, G. Völkel, J. Simon, J. Hoentsch, and A. Klöpperpieper. Electron spin relaxation of the PO 3 2- radical in mixed (betaine phosphate)0.95(betaine phosphite)0.05 crystal. P. 409.
J. Grigas, R. Mizaras, J. Banys, A. Brilingas, and B. Jaselskis. Permittivity and ionic conductivity of the xenon compound Na4XeO6 · 8H2O. P. 413.
Semiconductors
F. Kuliešius and P.K. Mačkus. The mechanism of structural relaxation in poly(epoxypropylcarbazole). P. 417.
V. Bondarenka, H. Tvardauskas, Z. Martūnas, S. Grebinskii, S. Mickevičius, V. Volkov, and G. Zakharova. X-ray photoelectron spectroscopy of BaV12O30.7 · 8.2H2O xerogels. P. 422.
V. Bondarenka, S. Grebinskii, S. Mickevičius, V. Volkov, and G. Zakharova. Investigation of relaxation processes in H2V11.5Cr0.5O30.7 · 8.4H2O xerogels by the complex impedance spectroscopy method. P. 428.
R. Miškinis, P. Rutkowski, and E. Urba. Leaky surface acoustic wave on (111) cut [11 0] direction of gallium arsenide. P. 432.
A.M. Konin. Influence of carrier drag by phonons on the concentration effect in a nonhomogeneously heated semiconductor. P. 436.
A. Kindurys, G. Krivaitė, and A. Galickas. Infrared interference filters made by silicon technology. P. 441.
Brief communications
A. Šurkus. The potential energy function for the X1 S+ state of XeH+. P. 446.
A. Bandzaitis. A simplified rule for determining the phase factor while using standard diagrams of transformation matrices of the angular momentum coupling method. P. 448.
TURINYS
V. Ryzhii, M. Ryzhii, I. Khmyrova, T. Iizuka, M. Willander, S.M. Cao. Dvistabilūs įtampa valdomi rezonansiniai tuneliniai lazeriai-tranzistoriai. P. 457.
K. Seeger. Rezonansinis mikrobangų atspindys ir pralaidumas bangolaidžiuose su puslaidininkiais. P. 466.
B.K. Ridley. Puslaidininkinių įvairialyčių darinių kraštinės sąlygos. P. 470.
V. Gružinskis, E. Starikov, P. Shiktorov, L. Reggiani, L. Varani. Triukšmų temperatūros spektras: dviejų elektrodų puslaidininkinių prietaisų fizika. P. 477.
M. Dagys, Ž. Kancleris, V. Orševskis, R. Simniškis. Trumpų didelės galios mikrobangų impulsų matavimas pagal puslaidininkio varžos pokytį stipriame elektriniame lauke. P. 482.
G.E. Pikus, Y.B. Lyanda-Geller, E. Normantas. Paviršinė fotosrovė, sukelta šviesos atspindžio. P. 486.
R. Katilius, A. Matulionis, R. Raguotis. Karštųjų elektronų greičių kryžminė koreliacija legiruotame GaAs: modeliavimas Monte Carlo metodu. P. 494.
P.I. Baranskij, V.M. Babič, A.V. Fedosov. Pjezoelektrinės varžos daugiaslėniuose puslaidininkiuose susidarymo mechanizmų sampratos evoliucija. P. 502.
I.V. Altukhov, E.G. Čirkova, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis, I.N. Jasievič. Tolimosios infraraudonosios spinduliuotės skatintoji emisija, atsirandanti dėl įtempimo suskaldytų akceptorių lygmenų populiacijos inversijos p germanyje. P. 519.
L. Subačius, E. Starikov, V. Gružinskis, P. Shiktorov, K. Jarašiūnas. Šviesa indukuotos stipraus lauko domenų sekos susidarymas galio arsenide, esant išoriniam laukui. P. 523.
M. Rokni, I. Levinson. Kinetinės lygtys esant lygmenų išplitimui. P. 528.
A. Greiner, L. Reggiani, P. Golinelli, L. Varani, T. Kuhn. Koreliacinės funkcijos artinys šilumos laidžiui ir krūvininkų Lorentz'o skaičiui įvertinti. P. 542.
J.P. Leburton, J. Wang. Sklaidos trukmės metodas porinėms kvantinėms duobėms, esant vidurinei infraraudonajai optinei emisijai. P. 550.
K. Mutamba, M. Flath, A. Sigurdardóttir, A. Vogt, H.L. Hartnagel. Slėgio efektai AlGaAs/GaAs rezonansiniuose tuneliavimo dioduose, juos pritaikant puslaidininkiniuose jutikliuose. P. 563.
V.I. Fistulj. Kvantinis cheminis metodas priemaišų tirpimo entalpijai puslaidininkiuose nustatyti. P. 566.
F.G. Bass, R. Bakanas. Silpnų trikdžių įtaka Gunn'o bangoms. P. 571.
M. Aboubacar, P. Houlet, J.P. Nougier, L. Varani, J.C. Vaissi?re. Pernašos ir triukšmo skaičiavimas puslaidininkiniuose dariniuose sklaidos paketo metodu. P. 583.
T.A. Fjeldly, T. Ytterdal, M.S. Shur. Galio arsenido lauko tranzistoriai su Schottky'o barjeru. P. 588.
Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, S.I. Kozlovsky, N.Z. Vagidov. Balistinis elektronų kryptinis šakotuvas, sukurtas dvigubos kvantinės duobės pagrindu. P. 599.
A. Krotkus, R. Adomavičius, S. Marcinkevičius, R. Leon, C. Jagadish. InP, turinčio nanometrinių metalinių iškratų, optinės ir elektrinės savybės. P. 605.
A.M. Beliantsev, Yu.Yu. Romanova. S pavidalo voltamperinė charakteristika ir srovės nestabilumai puslaidininkių daugiasluoksnėse įvairialytėse sandarose, esant stačiajai pernašai. P. 610.
E. Gornik, W. Boxleitner. Smith'o ir Purcell'io emisija kaip priemonė elektronų pasiskirstymo funkcijai ir vidutiniam laisvajam keliui įvairialyčiuose GaAs/AlGaAs dariniuose tyrinėti. P. 631.
CONTENTS
V. Ryzhii, M. Ryzhii, I. Khmyrova, T. Iizuka, M. Willander, and S.M. Cao. Bistable voltage-controlled resonant-tunnelling laser-transistors. P. 457.
K. Seeger. Resonant microwave reflection and transmission with semiconductors in waveguides. P. 466.
B.K. Ridley. Boundary conditions in semiconductor heterostructures. P. 470.
V. Gružinskis, E. Starikov, P. Shiktorov, L. Reggiani, and L. Varani. Noise-temperature spectrum: physics for two-terminal semiconductor devices. P. 477.
M. Dagys, Ž. Kancleris, V. Or<182>evskis, and R. Simniškis. Short high-power microwave pulse measurement using semiconductor resistance change in a strong electric field. P. 482.
G.E. Pikus, Y.B. Lyanda-Geller, and E. Normantas. Surface photocurrent induced by light reflection. P. 486.
R. Katilius, A. Matulionis, and R. Raguotis. Cross correlation of hot electron velocities in doped GaAs: Monte Carlo simulation. P. 494.
P.I. Baranskii, V.M. Babich, and A.V. Fedosov. Evolution of concepts on mechanisms of piezo-resistance in many-valley semiconductors. P. 502.
I.V. Altukhov, E.G. Chirkova, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis, and I.N. Yassievich. Stimulated emission of far-infrared radiation due to population inversion of strain-split acceptor levels in p-Ge. P. 519.
L. Subačius, E. Starikov, V. Gružinskis, P. Shiktorov, and K. Jarašiūnas. Light-triggered multiple high-field domain formation in biased GaAs. P. 523.
M. Rokni and Y. Levinson. Kinetic equations in the presence of level broadening effects. P. 528.
A. Greiner, L. Reggiani, P. Golinelli, L. Varani, and T. Kuhn. A correlation function approach to thermal conductivity and Lorenz number of charge carriers. P. 542.
J.P. Leburton and J. Wang. Scattering time engineering in coupled quantum wells for mid-infrared optical emission. P. 550.
K. Mutamba, M. Flath, A. Sigurdardóttir, A. Vogt, and H.L. Hartnagel. Pressure effects in AlGaAs/GaAs resonant tunnelling diodes for applications in semiconductor sensors. P. 563.
V.I. Fistul'. Quantum-chemical method of impurity solvation enthalpy determination in semiconductors. P. 566.
F.G. Bass and R. Bakanas. Gunn waves under small perturbations. P. 571.
M. Aboubacar, P. Houlet, J.P. Nougier, L. Varani, and J.C. Vaissi?re. Transport and noise calculations in semiconductor structures with the scattered packet method. P. 583.
T.A. Fjeldly, T. Ytterdal, and M.S. Shur. GaAs metal semiconductor field effect transistors. P. 588.
Z.S. Gribnikov, A.N. Korshak, S.I. Kozlovsky, and N.Z. Vagidov. Ballistic electron directional coupler on the basis of a double quantum well. P. 599.
A. Krotkus, R. Adomavičius, S. Marcinkevičius, R. Leon, and C. Jagadish. Optical and electrical characterization of InP with nanometre metallic precipitates. P. 605.
A.M. Beliantsev and Yu.Yu. Romanova. S-like CV characteristics and current instabilities in multilayer semiconductor heterostructures under vertical transport. P. 610.
E. Gornik and W. Boxleitner. Smith-Purcell emission as a tool to investigate the electron distribution function and the mean free path in GaAs/AlGaAs heterostructures. P. 631.